Browsing by Author "Власукова, Л. А."
Now showing items 1-8 of 8
-
Влияние верхнего оксидного слоя в оптических микрорезонаторах на основе нитрида кремния
(БНТУ, 2022)Структуры SiNx/SiOx и SiOx/SiNx/SiOx были изготовлены на кремниевых подложках методами химического осаждения (PECVD, LPCVD). Показано, что верхний слой оксида кремния защищает нижележащий нитридный слой от непреднамеренного окисления во время быстрого термического отжига в инертной среде (1100 °C, 3 мин). Кроме того, верхний слой оксида кремния увеличивает выход фотолюминесценции ...2022-12-28 -
Влияние режимов импульсного лазерного отжига на оптические свойства кремния, гипердопированного селеном, для фотодетекторов видимого и ик-диапазонов
(БНТУ, 2022)Слои кремния, легированные селеном до концентраций (4–6)ꞏ1020 см–3, что на 4 порядка величины превышает предел равновесной растворимости этой примеси, получены ионной имплантацией с последующим импульсным лазерным отжигом (ИЛО) при плотностях энергии в импульсе W = 0,55; 0,8; 1,0; 1,5; 2,0 и 2,5 Дж/см2. Методом обратного резерфордовского рассеяния ионов гелия показано, что до ...2022-12-28 -
Мемристорная структура на основе нестехиометрического нитрида кремния
(БНТУ, 2021)Исследованы электрофизические свойства и эффект резистивного переключения мемристорной структуры ITO/SiNx/Si. Концентрация избыточных атомов кремния в пленке SiNx, толщиной ~200 нм, увеличивалась от 16 до 77 % по мере продвижения вглубь образца. Обсуждаются эффект переключения сопротивления и механизмы проводимости в состояниях с высоким и низким сопротивлением. Для данной структуры ...2022-02-02 -
Оптические свойства нитрида галлия, синтезированного ионной имплантацией азота в арсенид галлия
(БНТУ, 2004)Оптические свойства нитрида галлия, синтезированного ионной имплантацией азота в арсенид галлия / Ю. А. Бумай [и др.] // Наука - образованию, производству, экономике : материалы Второй международной научно-технической конференции : в 2 т. / Белорусский национальный технический университет ; редкол.: Б. М. Хрусталев, Ф. А. Романюк, А. С. Калиниченко. – Минск : БНТУ, 2004. – Т. 2. ...2021-10-19 -
Пленки SinX с низкими механическими напряжениями для микросистемных применений, синтезированные в ICP-реакторе
(БНТУ, 2022)Пленки SiNx с механическими напряжениями в диапазоне от –10 до –625 МПа синтезированы в реакторе индуктивно-связанной плазмы (ICP) из смеси «SiH4 – N2 – Ar». Обогащение нитридных пленок азотом приводит к снижению механических напряжений до –10 МПа. При подъеме мощности ICP-источника механические напряжения возрастают вплоть до –625 МПа при 800 Вт. Варьирование температуры осаждения ...2022-12-28 -
Применение измерительного комплекса «RAMANOR U-1000» для анализа структурно-фазового состава покрытий па основе нитрида титана
(БНТУ, 2012)Пархоменко, И. Н. Применение измерительного комплекса «RAMANOR U-1000» для анализа структурно-фазового состава покрытий па основе нитрида титана / И. Н. Пархоменко, Д. С. Белявский, Л. А. Власукова // Новые направления развития приборостроения : материалы 5-й Международной студенческой научно-технической конференции, 18-20 апреля 2012 г. / редкол.: О. К. Гусев [и др.]. – Минск : ...2022-09-22 -
Установка для измерения спектров электролюминесценции диэлектрических структур на основе оксида и нитрида кремния в системе электролит-диэлектрик-полупроводник
(БНТУ, 2018)Установка для измерения спектров электролюминесценции диэлектрических структур на основе оксида и нитрида кремния в системе электролит-диэлектрик-полупроводник / И. А. Романов [и др.] // Приборостроение-2018 : материалы 11-й Международной научно-технической конференции, 14-16 ноября 2018 года, Минск, Республика Беларусь / редкол.: О. К. Гусев (председатель) [и др.]. – Минск : ...2019-04-30 -
Установка для измерения спектров электролюминесценции диэлектрических структур на основе оксида и нитрида кремния в системе электролит-диэлектрик-полупроводник
(БНТУ, 2018)Установка для измерения спектров электролюминесценции диэлектрических структур на основе оксида и нитрида кремния в системе электролит-диэлектрик-полупроводник / И. А. Романов [и др.] // Приборостроение-2018 : материалы 11-й Международной научно-технической конференции, 14-16 ноября 2018 года, Минск, Республика Беларусь / редкол.: О. К. Гусев (председатель) [и др.]. – Минск : ...2019-05-02
