Browsing by Author "Горбачук, Н. И."

Now showing items 1-6 of 6

    • Влияние γ-облучения на вольт-амперные характеристики p-i-n-фотодиодов 

      Горбачук, Н. И.; Ластовский, С. Б.; Оджаев, В. Б.; Петлицкий, А. Н.; Просолович, В. С.; Ковальчук, Н. С.; Филипеня, В. А.; Черный, В. В.; Шестовский, Д. В.; Янковский, Ю. Н. (БНТУ, 2020)
      Влияние γ-облучения на вольт-амперные характеристики p-i-n-фотодиодов / Н. И. Горбачук [и др.] // Приборостроение-2020 : материалы 13-й Международной научно-технической конференции, 18–20 ноября 2020 года, Минск, Республика Беларусь / редкол.: О. К. Гусев (председатель) [и др.]. – Минск : БНТУ, 2020. – С. 325-326.
      2021-02-09

    • Влияние экстракции дырок из базовой области кремниевого p–n–p-транзистора на его реактивный импеданс 

      Горбачук, Н. И.; Поклонский, Н. А.; Марочкина, Я. Н.; Шпаковский, С. В. (БНТУ, 2019)
      Транзисторные структуры являются базовыми элементами интегральной схемотехники и часто используются для создания не только собственно транзисторов, но и диодов, резисторов, конденсаторов. Определение механизма возникновения импеданса индуктивного типа в полупроводниковых структурах является актуальной задачей, решение которой создаст предпосылки к разработке твердотельных аналогов ...
      2020-01-08

    • Импедансная спектроскопия поликристаллических пленок диоксида олова 

      Адамчук, Д. В.; Ксеневич, В. К.; Горбачук, Н. И.; Шиманский, В. И. (БНТУ, 2016)
      Целью работы являлось применение метода импедансной спектроскопии для анализа влияния отжига в инертной среде на электрофизические свойства и структуру нестехиометрических пленок диоксида олова. Пленки SnO2 варьируемого стехиометрического состава получали двухступенчатым окислением металлического олова, нанесенного на подложки поликристаллического Al2O3 методом магнетронного ...
      2016-12-12

    • Контроль дифференциального сопротивления p–n-переходов биполярного транзистора в активном режиме методом импедансной спектроскопии 

      Горбачук, Н. И.; Поклонский, Н. А.; Марочкина, Я. Н.; Шпаковский, С. В. (БНТУ, 2019)
      Контроль параметров готовых транзисторов и межоперационный контроль при их изготовлении являются необходимыми условия выпуска конкурентоспособных изделий электронной промышленности. Традиционно для контроля биполярных транзисторов используются измерения на постоянном токе и регистрация вольт-фарадных характеристик. Проведение измерений на переменном токе позволит получить ...
      2019-09-16

    • Методика оценки электропроводности небольших образцов каменного угля по их влиянию на сигнал спин-метки в резонаторе радиоспектрометра 

      Поклонский, Н. А.; Вырко, С. А.; Поклонская, О. Н.; Горбачук, Н. И.; Сягло, А. И. (БНТУ, 2014)
      Представлены результаты исследования при комнатной температуре на воздухе влияния нерезонансного поглощения сверхвысокочастотного (СВЧ) электромагнитного излучения образцами каменных углей различной массы в центре резонатора типа H102 на сигнал электронного спинового резонанса (ЭСР) эталона (спин-метки) в виде кристалла рубина, постоянно закрепленного на боковой стенке резонатора. ...
      2014-12-17

    • Расчет статических параметров кремниевого диода, содержащего в симметричном p–n-переходе δ-слой точечных трехзарядных дефектов 

      Поклонский, Н. А.; Ковалев, А. И.; Горбачук, Н. И.; Шпаковский, С. В. (БНТУ, 2018)
      Научный и практический интерес представляет изучение полупроводниковых материалов и приборов с узким слоем атомов примесей и/или собственных точечных дефектов кристаллической решетки. Цель работы – рассчитать электрические параметры симметричного кремниевого диода, в плоском p–n-переходе которого сформирован δ-слой точечных трехзарядных t-дефектов. Такой диод называется p–t–n-диодом, ...
      2018-06-18