Жевняк, О. Г. Моделирование влияния затворного напряжения на перенос электронов в короткоканальных моп-транзисторах / О. Г. Жевняк // Приборостроение-2016 : материалы 9-й международной научно-технической конференции, Минск, 23-25 ноября 2016 г. / Белорусский национальный технический университет ; редкол.: О. К. Гусев [и др.]. – Минск, 2016. – С. 314-315.

В настоящей работе c помощью численного моделирования методом Монте-Карло электронного переноса в короткоканальных МОП-транзисторах с плавающим затвором, лежащих в основе функционирования современных элементов флеш-памяти, рассмотрено влияние ряда конструктивно-технологических параметров данных транзисторов на величину паразитных токов, проникающих на плавающий затвор. Показано, ...

На основе метода Монте-Карло проведено моделирование электронного переноса в короткоканальных кремниевых МОП-транзисторах с мелким и глубоким стоком. Рассчитаны плотности электронного тока в данных транзисторах. Показано, что в структурах с мелким стоком электронный ток протекает в узком приповерхностном слое, что может способствовать появлению высоких паразитных токов.

Жевняк, О. Г. Моделирование пространственных распределений подвижности в элементах флеш-памяти на основе короткоканальных МОП-транзисторов / О. Г. Жевняк, Я. О. Жевняк // Приборостроение-2020 : материалы 13-й Международной научно-технической конференции, 18–20 ноября 2020 года, Минск, Республика Беларусь / редкол.: О. К. Гусев (председатель) [и др.]. – Минск : БНТУ, 2020. – С. 250-251.