Browsing by Author "Ибодуллаев, Ш. Н."

Now showing items 1-3 of 3

    • Возможности созданные интегральныvb датчиками отрицательного магнитосопротивления в кремнии 

      Ибодуллаев, Ш. Н.; Абдуганиев, Ю. А.; Шоабдурахимова, М. М.; Назаров, А.; Неъматов, О. С. (БНТУ, 2022)
      Возможности созданные интегральныvb датчиками отрицательного магнитосопротивления в кремнии / Ш. Н. Ибодуллаев [и др.] // Научные основы использования информационных технологий нового уровня и современные проблемы автоматизации : сборник трудов I Международной научной конференции, 25-26 апреля 2022 года / Ташкентский государственный технический университет имени Ислама Каримова ...
      2023-01-20

    • Разработка датчика ИК – излучения на основе кремния с нанокластерами атомов марганца для систем автоматизации 

      Уралов, О. М.; Ибодуллаев, Ш. Н.; Тачилин, С. А. (БНТУ, 2022)
      Уралов, О. М. Разработка датчика ИК – излучения на основе кремния с нанокластерами атомов марганца для систем автоматизации / О. М. Уралов, Ш. Н. Ибодуллаев, С. А. Тачилин // Научные основы использования информационных технологий нового уровня и современные проблемы автоматизации : сборник трудов I Международной научной конференции, 25-26 апреля 2022 года / Ташкентский государственный ...
      2023-01-20

    • Фотоэлементы на основе бинарных элементарных ячеек в решетке кремния с участием элементов II и VI групп 

      Курбонова, У. Х.; Ибодуллаев, Ш. Н.; Турсунов, О. Б.; Муродов, Н. Р.; Хайруллаева, Х. (БНТУ, 2022)
      Установлено, что выбирая подходящие пары элементов III и V, а также элементов II и VI групп можно формировать бинарные элементарные ячейки с заданным составом, структурой и концентрацией, позволяющих управлять основными фундаментальными параметрами кремния, что позволяет получить принципиально новый класс полупроводникового материала на основе кремния.
      2023-01-20