Научный и практический интерес представляет изучение полупроводниковых материалов и приборов с узким слоем атомов примесей и/или собственных точечных дефектов кристаллической решетки. Цель работы – рассчитать электрические параметры симметричного кремниевого диода, в плоском p–n-переходе которого сформирован δ-слой точечных трехзарядных t-дефектов. Такой диод называется p–t–n-диодом, ...

Разработана установка с отражательным СВЧ-резонатором типа H101 для бесконтактного измерения электрических параметров небольших (диаметром  5 мм) образцов. Получено аналитическое выражение для расчета коэффициента отражения мощности СВЧ-излучения H101-резонатором с находящимся в нем образцом в зависимости от диэлектрической проницаемости и электропроводности образца. Экспериментально ...