Browsing by Author "Колос, В. В."
Now showing items 1-5 of 5
-
Отражательно-абсорбционная ИК Фурье-спектроскопия фоторезистивных плёнок на кремнии
Бринкевич, Д. И.; Гринюк, Е. В.; Просолович, В. С.; Бринкевич, С. Д.; Колос, В. В.; Зубова, О. А. (БНТУ, 2025)Проведён сравнительный анализ применения метода отражательно-абсорбционной спектроскопии с использованием заводской приставки диффузного отражения DRIFT ИК-спектрофотометра ALPHA и метода нарушенного полного внутреннего отражения для исследования оптических характеристик плёнок фоторезистов ФП9120, AZ nLOF 2020, 2070, 5510 и KMP E3502 толщиной 0,99– 6,0 мкм, сформированных на ...2025-03-27 -
Принципы формирования и свойства фоточувствительных структур на основе силицида переходных металлов
Емельяненко, Ю. С.; Колос, В. В.; Маркевич, М. И.; Чапланов, А. М.; Стельмах, В. Ф. (БНТУ, 2011)Принципы формирования и свойства фоточувствительных структур на основе силицида переходных металлов / Ю. С. Емельяненко [и др.] // Наука - образованию, производству, экономике : материалы Девятой международной научно-технической конференции : в 4 т. / Белорусский национальный технический университет ; редкол.: Б. М. Хрусталев, Ф. А. Романюк, А. С. Калиниченко. – Минск : БНТУ, ...2021-09-28 -
Прочностные свойства пленок фоторезиста AZ nLOF 5510
Абрамов, С. А.; Бринкевич, Д. И.; Просолович, В. С.; Колос, В. В.; Зубова, О. А.; Черный, В. В.; Вабищевич, С. А.; Вабищевич, Н. В. (Интегралполиграф, 2024)Методом индентирования исследованы пленки негативного фоторезиста AZ nLOF 5510 толщиной 0,99 мкм, нанесенные на поверхность пластин кремния методом центрифугирования. Пленки AZ nLOF 5510 ведут себя как упругопластичные материалы, в которых присутствуют растягивающие упругие напряжения. После дополнительной сушки и ионного травления поведение пленок AZ nLOF 5510 при индентировании ...2025-02-05 -
Спектры поглощения фоторезистов для обратной литографии
Абрамов, С. А.; Бринкевич, Д. И.; Просолович, В. С.; Колос, В. В.; Зубова, О. А.; Черный, В. В. (Интегралполиграф, 2024)Методом ИК-Фурье-спектроскопии диффузного отражения исследованы пленки негативных фоторезистов AZ nLOF 2020 и AZ nLOF 2070 толщиной 5,9 мкм, нанесенные на поверхность пластин кремния методом центрифугирования. Наиболее интенсивными являются полосы валентных колебаний ароматического кольца ( ~1500 см–1), пульсационных колебаний углеродного скелета ароматического кольца (сдвоенный ...2025-02-05 -
Фоточувствительность барьеров Шоттки, образованных на дисилициде титана путем осаждения палладия
Новоселов, А. М.; Емельяненко, Ю. С.; Колос, В. В.; Маркевич, М. И. (БНТУ, 2008)Фоточувствительность барьеров Шоттки, образованных на дисилициде титана путем осаждения палладия / А. М. Новоселов [и др.] // Наука - образованию, производству, экономике : материалы Шестой международной научно-технической конференции : в 3 т. / Белорусский национальный технический университет ; редкол.: Б. М. Хрусталев, Ф. А. Романюк, А. С. Калиниченко. – Минск : БНТУ, 2008. – ...2021-08-30