Browsing by Author "Крупская, Е. В."

Now showing items 1-4 of 4

    • Моделирование электронных свойств сенсорных материалов на основе редкоземельных оксидов 

      Колешко, В. М.; Гулай, А. В.; Лысковский, В. В.; Гулай, В. А.; Крупская, Е. В.; Левченко, Н. В. (ГрГУ им. Я. Купалы, 2011)
      В статье выполнено моделирование атомно-структурных и электронных свойств редкоземельных оксидов как активных материалов сенсорных наносистем. Исследована электронная плотность, а также рассчитана зонная структура для оксидов самария и гольмия.
      2020-11-12

    • Проектирование интеллектуальной сенсорной системы измерения вязкости жидкости в широком диапазоне значений 

      Колешко, В. М.; Сунка, В. Я.; Крупская, Е. В. (БНТУ, 2010)
      Колешко, В. М. Проектирование интеллектуальной сенсорной системы измерения вязкости жидкости в широком диапазоне значений / В. М. Колешко, В. Я. Сунка, Е. В. Крупская // Теоретическая и прикладная механика : международный научно-технический сборник. – Вып. 25. – 2010. – С. 142-149.
      2016-03-03

    • Проектирование интеллектуальных сенсорных систем измерения вязкости материалов 

      Колешко, В. М.; Сунка, В. Я.; Полынкова, Е. В.; Крупская, Е. В. (БНТУ, 2010)
      Электронное учебно-методическое пособие содержит материал для изучения студентами кафедры “Интеллектуальные системы” дисциплины “Сенсоры и сенсорные системы”, который позволяет студентам понять основные идеи рассматриваемых методов измерения вязкости различных материалов. Изложены физические основы измерения вязкости жидкостей вибрационными методами, проанализированы их преимущества ...
      2012-02-22

    • Сенсорные материалы на основе редкоземельных оксидов: моделирование электронных свойств 

      Колешко, В. М.; Гулай, А. В.; Лысковский, В. В.; Гулай, В. А.; Крупская, Е. В.; Левченко, Н. В. (БНТУ, 2012)
      Выполнено моделирование атомно-структурных и электронных свойств редкоземельных оксидов как активных материалов сенсорных наносистем. Исследована электронная плотность, а также рассчитана зонная структура для оксидов самария и гольмия. Определена спиновая поляризация носителей заряда вблизи уровня Ферми, которая, например, для оксида самария составляет 48,72%.
      2020-02-28