Browsing by Author "Курильчик, С. В."

Now showing items 1-20 of 21

    • Er:YLiF4 лазер с резонансной накачкой 

      Барашкова, М. Б.; Горбаченя, К. Н.; Кисель, В. Э.; Ясюкевич, А. С.; Курильчик, С. В.; Кулешов, Н. В. (БНТУ, 2015)
      Er:YLiF4 лазер с резонансной накачкой / М. Б. Барашкова [и др.] // Новые направления развития приборостроения : материалы 8-й Международной научно-технической конференции молодых ученых и студентов / редкол.: О. К. Гусев [и др.]. – Минск : БНТУ, 2015. – С. 188.
      2022-08-24

    • Nd3+:KG(WO4)2 лазер с ВКР преобразованием в режиме пассивной модуляции добротности 

      Демеш, М. П.; Кисель, В. Э.; Ясюкевич, А. С.; Кулешов, Н. В.; Курильчик, С. В.; Руденков, А. С.; Гусакова, Н. В.; Ивашко, А. М. (БНТУ, 2014)
      В данной работе представлен твердотельный лазер, работающий в режиме пассивной модуляции добротности с ВКР преобразованием.
      2015-03-23

    • Изготовление монокристаллического слоя Er:KGdxYbyY(1-x-y)(WO4)2 для планарных волноводных лазеров 

      Дернович, О. П.; Курильчик, С. В.; Кисель, В. Э.; Кулешов, Н. В.; Гурецкий, С. А.; Колесова, И. М. (БНТУ, 2016)
      Изготовление монокристаллического слоя Er:KGdxYbyY(1-x-y)(WO4)2 для планарных волноводных лазеров / О. П. Дернович [и др.] // Приборостроение-2016 : материалы 9-й международной научно-технической конференции, Минск, 23-25 ноября 2016 г. / Белорусский национальный технический университет ; редкол.: О. К. Гусев [и др.]. – Минск, 2016. – С. 308-309.
      2017-03-27

    • Измерение времени затухания люминесценции ионов Yb3+ в кристалле Li2Zn2(MoO4)3 с использованием метода, устраняющего влияние перепоглощения излучения 

      Курильчик, С. В.; Кисель, В. Э.; Кулешов, Н. В.; Павлюк, А. А. (БНТУ, 2011)
      Создана экспериментальная установка для измерения времен затухания люминесценции редкоземельных ионов в конденсированных средах (кристаллах, стеклах и растворах). С использованием методики, позволяющей устранить влияние перепоглощения излучения, проведены измерения времени затухания люминесценции ионов Yb3+ в кристалле Yb3+:Li2Zn2(MoO4)3 в спектральной области около 1 мкм.
      2012-03-26

    • Исследование спектроскопических и генерационных характеристик кристаллов алюмината иттрия, легированных ионами иттербия, как активных сред фемтосекундных лазаров с диодной накачкой 

      Курильчик, С. В. (2008)
      Объектом исследования является кристалл алюмината иттрия, активированный трехвалентными ионами иттербия. Цель работы – изучить спектроскопические и генерационные характеристики иттербий содержащего кристалла алюмината иттрия. В процессе выполнения работы был сделан спектроскопический анализ монокристалла Yb:YAlO3: измерены спектры поглощения для поляризаций вдоль всех ...
      2014-01-09

    • Исследование спектроскопических характеристик лазерного кристалла Er3+:NaBi(MoO4)2 

      Гусакова, Н. В.; Демеш, М. П.; Ясюкевич, А. С.; Кисель, В. Э.; Кулешов, Н. В.; Курильчик, С. В.; Руденков, А. С.; Ивашко, А. М. (БНТУ, 2014)
      Исследование спектроскопических характеристик лазерного кристалла Er3+:NaBi(MoO4)2 / Н. В. Гусакова [и др.] // Приборостроение-2014 : материалы 7-й Международной научно-технической конференции (19–21 ноября 2014 года, Минск, Республика Беларусь) / ред. колл.: О. К. Гусев [и др.]. – Минск : БНТУ, 2014. – С. 278-279.
      2015-03-23

    • Калибровка функции коэффициента пропускания люминесцентной установки 

      Демеш, М. П.; Гусакова, Н. В.; Ясюкевич, А. С.; Кисель, В. Э.; Кулешов, Н. В.; Курильчик, С. В.; Руденков, А. С.; Ивашко, А. М. (БНТУ, 2014)
      Калибровка функции коэффициента пропускания люминесцентной установки / М. П. Демеш [и др.] // Приборостроение-2014 : материалы 7-й Международной научно-технической конференции (19–21 ноября 2014 года, Минск, Республика Беларусь) / ред. колл.: О. К. Гусев [и др.]. – Минск : БНТУ, 2014. – С. 284-285.
      2015-03-23

    • Лазер на кристалле Tm,Ho:KY(WО4)2, с диодной накачкой 

      Гачегов, Е. В.; Курильчик, С. В.; Кисель, В. Э.; Кулешов, Н. В. (БНТУ, 2015)
      Лазер на кристалле Tm,Ho:KY(WО4)2, с диодной накачкой / Е. В. Гачегов [и др.] // Новые направления развития приборостроения : материалы 8-й Международной научно-технической конференции молодых ученых и студентов / редкол.: О. К. Гусев [и др.]. – Минск : БНТУ, 2015. – С. 194.
      2022-08-24

    • Лазерная генерация на кристаллах Er:LiYF4 и Er:LiLuF4 с резонансной накачкой 

      Горбаченя, К. Н.; Курильчик, С. В.; Кисель, В. Э.; Ясюкевич, А. С.; Кулешов, Н. В.; Низамутдинов, А. С.; Кораблева, С. Л.; Семашко, В. В. (2016)
      Исследованы спектроскопические свойства кристаллов Er:LiLuF4 и Er:LiYF4 в спектральной области около 1.5 мкм, а также их генерационные характеристики в условиях резонансной лазерной накачки на длине волны 1522 нм. На кристалле Er:LiLuF4 достигнута максимальная дифференциальная эффективность генерации по поглощенной мощности накачки 44% с длиной волны излучения 1609 нм. Впервые ...
      2016-04-22

    • Лазерная генерация на эпитаксиальном монокристаллическом слое Er(1.3 ат.%):KGd0.2Yb0.15Y0.65(WO4)2 c резонансной накачкой 

      Дернович, О. П.; Курильчик, С. В.; Горбаченя, К. Н.; Кисель, В. Э.; Кулешов, Н. В.; Кравцов, А. В.; Гурецкий, С. А.; Колесова, И. М. (БНТУ, 2017)
      Лазерная генерация на эпитаксиальном монокристаллическом слое Er(1.3 ат.%):KGd0.2Yb0.15Y0.65(WO4)2 c резонансной накачкой / О. П. Дернович [и др.] // Приборостроение - 2017 : материалы 10-й Международной научно-технической конференции, 1-3 ноября 2017 года, Минск, Республика Беларусь / Белорусский национальный технический университет ; редкол.: О. К. Гусев [и др.]. - Минск : БНТУ, ...
      2018-02-08

    • Лазеры на кристаллах Tm:KLu(WO4)2 и Tm:KY(WO4)2 в микрочип-конфигурации для дистанционного зондирования атмосферы 

      Дернович, О. П.; Курильчик, С. В.; Гусакова, Н. В.; Кулешов, Н. В. (БНТУ, 2016)
      Твердотельные лазеры с диодной накачкой находят все более широкое практическое применение во многих областях человеческой деятельности благодаря их высокой эффективности, компактности и длительному сроку службы. Для использования в качестве излучателей при дистанционном зондировании атмосферы требуются лазеры, излучающие в спектральной области около 2 мкм. Перспективными активными ...
      2016-09-09

    • Макет иттербиевого лазера с диодной накачкой 

      Кисель, В. Э.; Курильчик, С. В.; Левкович, Е. К. (2008)
      Объектом исследования является макет иттербиевого лазера с диодной накачкой. Цель работы - создание иттербиевого лазера с диодной накачкой, предназначенного для генерации непрерывного (циклического) излучения мощностью не менее 1,5 Вт с высокой стабильностью выходных параметров, без использования принудительной термостабилизации. В процессе выполнения работы был создан макет ...
      2014-01-09

    • Микропараметры переноса энергии между примесными ионами в кристалле Tm,Ho:KY(WO4)2 

      Курильчик, С. В.; Кулешов, Н. В.; Зенькевич, Э. И. (БНТУ, 2014)
      Курильчик, С. В. Микропараметры переноса энергии между примесными ионами в кристалле Tm,Ho:KY(WO4)2 / С. В. Курильчик, Н. В. Кулешов, Э. И. Зенькевич // Приборостроение-2014 : материалы 7-й Международной научно-технической конференции (19–21 ноября 2014 года, Минск, Республика Беларусь) / ред. колл.: О. К. Гусев [и др.]. – Минск : БНТУ, 2014. – С. 333-334.
      2015-03-24

    • Миниатюрный иттербиевый лазер с диодной накачкой 

      Курильчик, С. В.; Кисель, В. Э.; Кулешов, Н. В.; Векшин, С. К. (БНТУ, 2009)
      Миниатюрный иттербиевый лазер с диодной накачкой / С. В. Курильчик [и др.] // Новые направления развития приборостроения : материалы 2-й Международной студенческой научно-технической конференции (22-24 апреля 2009 г.) / редкол.: В. Л. Соломахо [и др.]. – Минск : БНТУ, 2009. – С. 15.
      2022-10-26

    • Непрерывный тулиевый микрочип лазер с диодной накачкой, излучающий в области 1,95 мкм 

      Гусакова, Н. В.; Демеш, М. П.; Демеш, А. С.; Кисель, В. Э.; Кулешов, Н. В.; Курильчик, С. В.; Ивашко, А. М. (БНТУ, 2016)
      Непрерывный тулиевый микрочип лазер с диодной накачкой, излучающий в области 1,95 мкм / Н. В. Гусакова [и др.] // Приборостроение-2016 : материалы 9-й международной научно-технической конференции, Минск, 23-25 ноября 2016 г. / Белорусский национальный технический университет ; редкол.: О. К. Гусев [и др.]. – Минск, 2016. – С. 302-303.
      2017-03-27

    • Особенности выращивания и свойства тонкопленочных монокристаллических структур на основе двойных вольфраматов 

      Гурецкий, С. А.; Лугинец, А. М.; Колесова, И. М.; Кравцов, А. В.; Кулешов, Н. В.; Курильчик, С. В.; Кисель, В. Э.; Малютин, В. Б.; Ермолаев, А. А.; Карпенко, С. А. (Беларуская навука, 2013)
      Особенности выращивания и свойства тонкопленочных монокристаллических структур на основе двойных вольфраматов / С. А. Гурецкий [и др.] // Весцi Нацыянальнай акадэмii навук Беларусi. Серыя фiзiка-матэматычных навук. - 2013. - № 4. - С. 73-77.
      2014-12-12

    • Перестраиваемый лазер на кристалле Tm:KLu(WO4)2 

      Свибович, И. В.; Курильчик, С. В. (БНТУ, 2016)
      Свибович, И. В. Перестраиваемый лазер на кристалле Tm:KLu(WO4)2 / И. В. Свибович, С. В. Курильчик // Новые направления развития приборостроения : материалы 9-й международной научно-технической конференции молодых ученых и студентов, Минск, 20–22 апреля 2016 г. : в 2 т. / Белорусский национальный технический университет ; редкол.: О. К. Гусев [и др.]. – Минск, 2016. – Т. 2. - С. 4-5.
      2016-09-22

    • Перестраиваемый непрерывный лазер на кристалле Tm3:KLu(WO4)2 с диодной накачкой 

      Дернович, O. П.; Гусакова, Н. В.; Курильчик, С. В.; Кулешов, Н. В. (БНТУ, 2015)
      Перестраиваемый непрерывный лазер на кристалле Tm3:KLu(WO4)2 с диодной накачкой / O. П. Дернович [и др.] // Новые направления развития приборостроения : материалы 8-й Международной научно-технической конференции молодых ученых и студентов / редкол.: О. К. Гусев [и др.]. – Минск : БНТУ, 2015. – С. 197.
      2022-08-24

    • Рост и спектроскопические свойства эпитаксиальных слоев Er:KGdxYbyY(1-x-y)(WO4)2 для лазерных применений 

      Гурецкий, С. А.; Колесова, И. М.; Труханова, Е. Л.; Курильчик, С. В.; Дернович, О. П.; Кисель, В. Э.; Кулешов, Н. В. (ВГТУ, 2017)
      В данной работе были разработаны теплофизические условия получения на подложках монокристаллов KY(WO4)2 методом жидкофазной эпитаксии монокристаллических пленочных структур KGdxYbyY(1-x-y)(WO4)2.
      2022-08-11

    • Рост монокристаллического слоя двойного вольфрамата с ионами гольмия методом жидкофазной эпитаксии 

      Дернович, О. П.; Курильчик, С. В.; Вилейшикова, Е. В.; Кисель, В. Э.; Кулешов, Н. В.; Кравцов, А. В.; Гурецкий, С. А.; Колесова, И. М. (БНТУ, 2018)
      Рост монокристаллического слоя двойного вольфрамата с ионами гольмия методом жидкофазной эпитаксии / О. П. Дернович [и др.] // Приборостроение-2018 : материалы 11-й Международной научно-технической конференции, 14-16 ноября 2018 года, Минск, Республика Беларусь / редкол.: О. К. Гусев (председатель) [и др.]. – Минск : БНТУ, 2018. – С. 369-371.
      2019-04-30