Browsing by Author "Мартин, Р. В."
Now showing items 1-2 of 2
-
Деградация параметров фотопреобразователей солнечной энергии на основе полупроводниковых твердых растворов Cu(In,Ga)Se2 при электронном облучении
Мудрый, А. В.; Рефахати, Н.; Живулько, В. Д.; Якушев, М. В.; Мартин, Р. В. (БНТУ, 2014)Методом испарения элементов Cu, In, Ga и Se из независимых источников на натрийсодержащих стеклянных подложках, покрытых слоем молибдена, выращены тонкие поликристаллические пленки Cu(In,Ga)Se2 (CIGS). Изучено влияние электронного облучения на электрические и оптические свойства тонких пленок CIGS и солнечных элементов со структурой ZnO:Al/i-ZnO/CdS/CIGS/Mo/стекло. Установлено, ...2014-08-25 -
Кремниевые приборные структуры с эффективной излучательной рекомбинацией на дислокациях
Мудрый, А. В.; Живулько, В. Д.; Мофиднахаи, Ф.; Ивлев, Г. Д.; Якушев, М. В.; Мартин, Р. В.; Двуреченский, А. В.; Зиновьев, В. А.; Смагина, Ж. В.; Кучинская, П. А. (БНТУ, 2014)В кремниевых p-n структурах обнаружена эффективная электролюминесценция в области переходов зона–зона (1,1 эВ) и переходов, обусловленных дислокациями (D1–0,8 эВ), при комнатной температуре и температуре жидкого азота. Установлено, что люминесценция, обусловленная дислокациями в монокристаллах Si, значительно сильнее, чем собственное межзонное излучение в интервале температур ...2014-08-25