Матросов, В. Н. Зависимость формы фронта кристаллизации от технологических условий при выращивании кристаллов методом Чохральского / В. Н. Матросов // Перспективные материалы и технологии : материалы международного симпозиума, (22-26 мая 2017, Витебск) : в 2 ч. - Витебск, 2017. - Ч. 1. - С. 100-102.

Проведено исследование генерационных характеристик YVO 4:Er-лазера при резонансной накачке в области 1.5-1.6 мкм. Получена лазерная генерация на l = 1603 нм с дифференциальной эффективностью до 61 %. Показана перспективность создания эффективных лазеров с резонансной накачкой на основе кристалла YVO 4:Er.

При выращивании кристаллов методом Чохральского кристалл формируется на границе раздела трех фаз – жидкой, твердой и газообразной, которая называется фронтом кристаллизации (ФК). ФК является показателем тепловых условий, которые созданы в тигле и надтигельном пространстве. Важнейшей характеристикой ФК является его форма, которая задается кинетическими и тепловыми условиями, а ...