Browsing by Author "Павлюченко, В. В."
Now showing items 1-20 of 92
-
Анализ электрических сигналов преобразователя при считывании информации с магнитного носителя
(БНТУ, 2022)Представлены дифференциальные зависимости U(t) электрического напряжения от времени t на выходе магнитной головки (МГ), сканирующей магнитный носитель (МН) с записями магнитных полей, обусловленных разными причинами. На МН воздействовали импульсами магнитного поля. Получены интегральные зависимости U(t) с записями поля дефекта в металлическом объекте. На основании проведенного ...2022-07-04 -
Взаимодействие импульсных электромагнитных полей с поверхностями металлических образцов
(БНТУ, 2006)Павлюченко, В. В. Взаимодействие импульсных электромагнитных полей с поверхностями металлических образцов / В. В. Павлюченко, Е. С. Дорошевич // Вестник Белорусского национального технического университета : научно-технический журнал. – 2006. – № 4. – С. 59-63.2014-04-18 -
Взаимодействие электропроводящего объекта с локальным источником импульсного магнитного поля
(БНТУ, 2007)Павлюченко, В. В. Взаимодействие электропроводящего объекта с локальным источником импульсного магнитного поля / В. В. Павлюченко, Е. С. Дорошевич // Наука - образованию, производству, экономике : материалы Пятой международной научно-технической конференции : в 2 т. / Белорусский национальный технический университет ; редкол.: Б. М. Хрусталев, Ф. А. Романюк, А. С. Калиниченко. – ...2021-11-10 -
Визуализация магнитных полей неоднородностей структуры объекта
(БНТУ, 2018)Павлюченко, В. В. Визуализация магнитных полей неоднородностей структуры объекта / В. В. Павлюченко, Е. С. Дорошевич // Наука – образованию, производству, экономике : материалы 16-й Международной научно-технической конференции. – Минск : БНТУ, 2018. – Т. 3. – С. 405.2019-10-08 -
Влияние параметров преобразователей магнитного поля на результаты контроля свойств объектов
(БНТУ, 2021)На основании разработанных методов гистерезисной интерференции получены зависимости U(t) электрического напряжения, снимаемого с преобразователя магнитного поля, от времени t при записи импульсных магнитных полей на совмещенные дискретный датчик магнитного поля (ДДМП) и сплошной магнитный носитель (МН). На МН с образцами из алюминиевой фольги с дефектами воздействовали серией из ...2021-07-02 -
Гистерезисные методы контроля объектов в импульсных магнитных полях
(БНТУ, 2017)Павлюченко, В. В. Гистерезисные методы контроля объектов в импульсных магнитных полях / В. В. Павлюченко, Е. С. Дорошевич // Приборостроение - 2017 : материалы 10-й Международной научно-технической конференции, 1-3 ноября 2017 года, Минск, Республика Беларусь / Белорусский национальный технический университет ; редкол.: О. К. Гусев [и др.]. - Минск : БНТУ, 2017. - С. 98-100.2018-02-01 -
Зависимость величины максимальной напряженности импульсного магнитного поля на поверхности металлического образца от его толщины
(БНТУ, 2006)Павлюченко, В. В. Зависимость величины максимальной напряженности импульсного магнитного поля на поверхности металлического образца от его толщины / В. В. Павлюченко, Е. С. Дорошевич // Наука - образованию, производству, экономике : материалы Четвертой международной научно-технической конференции : в 2 т. / Белорусский национальный технический университет ; редкол.: Б. М. Хрусталев, ...2021-11-12 -
Зависимость величины максимальной напряженности магнитного поля на поверхности металлического образца от формы импульса магнитного поля
(БНТУ, 2006)Павлюченко, В. В. Зависимость величины максимальной напряженности магнитного поля на поверхности металлического образца от формы импульса магнитного поля / В. В. Павлюченко, Е. С. Дорошевич // Наука - образованию, производству, экономике : материалы Четвертой международной научно-технической конференции : в 2 т. / Белорусский национальный технический университет ; редкол.: Б. М. ...2021-11-12 -
Зависимость результатов пространственно-временных измерений напряженности импульсов магнитного поля от геометрических размеров металлических образцов, их электропроводности и параметров импульсов поля
(БНТУ, 2004)Павлюченко, В. В. Зависимость результатов пространственно-временных измерений напряженности импульсов магнитного поля от геометрических размеров металлических образцов, их электропроводности и параметров импульсов поля / В. В. Павлюченко // Наука - образованию, производству, экономике : материалы Второй международной научно-технической конференции : в 2 т. / Белорусский национальный ...2021-10-19 -
Закономерности изменения напряженности прошедшего через электропроводящие объекты магнитного поля
(БНТУ, 2009)Павлюченко, В. В. Закономерности изменения напряженности прошедшего через электропроводящие объекты магнитного поля / В. В. Павлюченко, Е. С. Дорошевич // Вестник Белорусского национального технического университета : научно-технический журнал. – 2009. – № 2. – С. 76-82.2012-04-12 -
Законы распределения напряженности импульсного магнитного поля вблизи электропроводящих материалов
(БНТУ, 2007)Павлюченко, В. В. Законы распределения напряженности импульсного магнитного поля вблизи электропроводящих материалов / В. В. Павлюченко // Вестник Белорусского национального технического университета : научно-технический журнал. – 2007. – № 3. – С. 66-71.2014-04-25 -
Измерение напряженности магнитного поля при определении электрических и магнитных свойств материалов
(БНТУ, 2009)Павлюченко, В. В. Измерение напряженности магнитного поля при определении электрических и магнитных свойств материалов / В. В. Павлюченко, Е. С. Дорошевич // Наука - образованию, производству, экономике : материалы Седьмой международной научно-технической конференции : в 3 т. / Белорусский национальный технический университет ; редкол.: Б. М. Хрусталев, Ф. А. Романюк, А. С. ...2021-10-05 -
Изучение законов фотометрии
(БНТУ, 2004)В методических указаниях рассматриваются основные понятия фотометрии. Излагается способ проверки двух законов освещенности.2012-02-29 -
Использование анизотропии датчиков магнитного поля при контроле свойств объектов
(БНТУ, 2017)Павлюченко, В. В. Использование анизотропии датчиков магнитного поля при контроле свойств объектов / В. В. Павлюченко, Е. С. Дорошевич // Наука – образованию, производству, экономике : материалы 15-й Международной научно-технической конференции. - Минск : БНТУ, 2017. - Т. 3. - С. 494.2018-06-29 -
Использование гистерезисных свойств датчиков магнитного поля при контроле магнитных и электрических свойств материалов
(БНТУ, 2006)Павлюченко, В. В. Использование гистерезисных свойств датчиков магнитного поля при контроле магнитных и электрических свойств материалов / В. В. Павлюченко // Наука - образованию, производству, экономике : материалы Четвертой международной научно-технической конференции : в 2 т. / Белорусский национальный технический университет ; редкол.: Б. М. Хрусталев, Ф. А. Романюк, А. С. ...2021-11-12 -
Использование магнитного гистерезиса при контроле объектов из электропроводящих материалов в импульсных магнитных полях
(Наука, 2013)Приведены распределения электрического напряжения U(t), снимаемого с индукционной магнитной головки при сканировании ею дискретного магнитного носителя с записями остаточных магнитных полей, полученных при воздействии на магнитный носитель с контролируемым объектом импульсным магнитным полем с выбросами разной полярности. Возникновение упорядоченных распределений остаточных ...2014-11-10 -
Использование металлических покрытий для измерения напряженности магнитного поля
(БНТУ, 2007)Павлюченко, В. В. Использование металлических покрытий для измерения напряженности магнитного поля / В. В. Павлюченко, Е. С. Дорошевич // Наука - образованию, производству, экономике : материалы Пятой международной научно-технической конференции : в 2 т. / Белорусский национальный технический университет ; редкол.: Б. М. Хрусталев, Ф. А. Романюк, А. С. Калиниченко. – Минск : БНТУ, ...2021-11-10 -
Использование полученных закономерностей распределений магнитных полей при контроле электропроводящих объектов
(БНТУ, 2016)Павлюченко, В. В. Использование полученных закономерностей распределений магнитных полей при контроле электропроводящих объектов / В. В. Павлюченко, В. А. Сычик, Е. С. Дорошевич // Приборостроение-2016 : материалы 9-й международной научно-технической конференции, Минск, 23-25 ноября 2016 г. / Белорусский национальный технический университет ; редкол.: О. К. Гусев [и др.]. – Минск, ...2017-03-30 -
Контроль дефектов сплошности сред в изделиях электронной техники
(БНТУ, 2013)Павлюченко, В. В. Контроль дефектов сплошности сред в изделиях электронной техники / В. В. Павлюченко // Наука – образованию, производству, экономике : материалы 11-й Международной научно-технической конференции. Т. 4. - Минск : БНТУ, 2013. - С. 457-458.2015-11-24 -
Контроль объектов в импульсных магнитных полях
(БНТУ, 2015)Павлюченко, В. В. Контроль объектов в импульсных магнитных полях / В. В. Павлюченко, Е. С. Дорошевич // Наука – образованию, производству, экономике : материалы 13-й Международной научно-технической конференции. - Минск : БНТУ, 2015. - Т. 3. - С. 443.2016-05-02
