Repository BNTU - Browsing by Author "Поклонский, Н. А."

Now showing items 1-8 of 8

Влияние экстракции дырок из базовой области кремниевого p–n–p-транзистора на его реактивный импеданс

Горбачук, Н. И.; Поклонский, Н. А.; Марочкина, Я. Н.; Шпаковский, С. В. (БНТУ, 2019)

Транзисторные структуры являются базовыми элементами интегральной схемотехники и часто используются для создания не только собственно транзисторов, но и диодов, резисторов, конденсаторов. Определение механизма возникновения импеданса индуктивного типа в полупроводниковых структурах является актуальной задачей, решение которой создаст предпосылки к разработке твердотельных аналогов ...

2020-01-08
Контроль дифференциального сопротивления p–n-переходов биполярного транзистора в активном режиме методом импедансной спектроскопии

Горбачук, Н. И.; Поклонский, Н. А.; Марочкина, Я. Н.; Шпаковский, С. В. (БНТУ, 2019)

Контроль параметров готовых транзисторов и межоперационный контроль при их изготовлении являются необходимыми условия выпуска конкурентоспособных изделий электронной промышленности. Традиционно для контроля биполярных транзисторов используются измерения на постоянном токе и регистрация вольт-фарадных характеристик. Проведение измерений на переменном токе позволит получить ...

2019-09-16
Методика оценки электропроводности небольших образцов каменного угля по их влиянию на сигнал спин-метки в резонаторе радиоспектрометра

Поклонский, Н. А.; Вырко, С. А.; Поклонская, О. Н.; Горбачук, Н. И.; Сягло, А. И. (БНТУ, 2014)

Представлены результаты исследования при комнатной температуре на воздухе влияния нерезонансного поглощения сверхвысокочастотного (СВЧ) электромагнитного излучения образцами каменных углей различной массы в центре резонатора типа H102 на сигнал электронного спинового резонанса (ЭСР) эталона (спин-метки) в виде кристалла рубина, постоянно закрепленного на боковой стенке резонатора. ...

2014-12-17
Модель автоэлектронной эмиссии из торца плоского графена в вакуум

Поклонский, Н. А.; Сягло, А. И.; Вырко, С. А.; Раткевич, С. В.; Власов, А. Т. (БНТУ, 2019)

Наноструктуры на основе графеновых лент являются перспективными материалами для использования в качестве эмиттеров электронов. Цель работы – исследовать автоэлектронную эмиссию электронов из торца одиночной графеновой плоскости. В квазиклассическом приближении разработана модель автоэлектронной эмиссии из торца прямоугольного графенового листа. Рассчитана плотность тока автоэлектронной ...

2019-03-18
Модель электромагнитного излучателя на основе потока одиночных электронов внутри изогнутой углеродной нанотрубки

Поклонский, Н. А.; Вырко, С. А.; Власов, А. Т.; Сягло, А. И.; Раткевич, С. В. (БНТУ, 2018)

Вопросы создания и использования микро- и нанометровых антенн для генерации и приема электромагнитного излучения все еще актуальны как в фундаментальном, так и в прикладном аспектах. С уменьшением размеров антенны частота электромагнитного излучения увеличивается, а мощность – падает. Для увеличения мощности излучения обычно применяются периодические (в пространстве) электродинамические ...

2019-01-02
Программное обеспечение для установки бесконтактного измерения микроволновых параметров небольших образцов материалов

Поклонский, Н. А.; Сягло, А. И.; Шнитко, В. Т.; Ковалев, А. И. (БНТУ, 2014)

В данной работе представлено краткое описание программы для сопряжения специализированного контроллера с ПК. Программа разработана в пакете Borland C++.

2015-03-17
Расчет статических параметров кремниевого диода, содержащего в симметричном p–n-переходе δ-слой точечных трехзарядных дефектов

Поклонский, Н. А.; Ковалев, А. И.; Горбачук, Н. И.; Шпаковский, С. В. (БНТУ, 2018)

Научный и практический интерес представляет изучение полупроводниковых материалов и приборов с узким слоем атомов примесей и/или собственных точечных дефектов кристаллической решетки. Цель работы – рассчитать электрические параметры симметричного кремниевого диода, в плоском p–n-переходе которого сформирован δ-слой точечных трехзарядных t-дефектов. Такой диод называется p–t–n-диодом, ...

2018-06-18
Экспресс-методика бесконтактного измерения электрических параметров небольших образцов на сверхвысоких частотах

Поклонский, Н. А.; Сягло, А. И.; Шнитко, В. Т.; Меркулов, В. А.; Давиденя, М. О.; Ковалев, А. И. (БНТУ, 2013)

Разработана установка с отражательным СВЧ-резонатором типа H101 для бесконтактного измерения электрических параметров небольших (диаметром  5 мм) образцов. Получено аналитическое выражение для расчета коэффициента отражения мощности СВЧ-излучения H101-резонатором с находящимся в нем образцом в зависимости от диэлектрической проницаемости и электропроводности образца. Экспериментально ...

2013-12-02