Repository BNTU - Browsing by Author "Тучковский, А. К."

Now showing items 1-4 of 4

Использование структурной инженерии нанопористого Al2O3 и алюминиевой основы для создания изделий электроники

Врублевский, И. А.; Чернякова, К. В.; Тучковский, А. К. (БНТУ, 2015)

Врублевский, И. А. Использование структурной инженерии нанопористого Al2O3 и алюминиевой основы для создания изделий электроники / И. А. Врублевский, К. В. Чернякова, А. К. Тучковский // Сотрудничество - катализатор инновационного роста : сборник материалов Белорусско-Прибалтийского форума, 22-23 октября 2015 года. – Минск : БНТУ, 2015. – С. 66-67.

2018-04-25
Исследование температуры поверхности ИК излучателя на основе алюминия с нанопористым AL₂О₃ с элементом нагрева – углеродной нитью

Аль-Камали, М. Ф. С. Х.; Тучковский, А. К.; Чернякова, К. В.; Врублевский, И. А. (БНТУ, 2017)

Исследование температуры поверхности ИК излучателя на основе алюминия с нанопористым AL₂О₃ с элементом нагрева – углеродной нитью / М. Ф. С. Х. Аль-Камали [и др.] // Новые направления развития приборостроения : материалы 10-й международной научно-технической конференции молодых ученых и студентов, Минск, 26−28 апреля 2017 г. : в 2 т. / Белорусский национальный технический университет ...

2017-06-22
Тепловые режимы работы микронагревателя с углеродной нитью датчика скорости потока на алюминиевом основании с нанопористым Al₂О₃

Аль-Адеми, Я. Т. А.; Чернякова, К. В.; Тучковский, А. К.; Врублевский, И. А. (БНТУ, 2017)

Тепловые режимы работы микронагревателя с углеродной нитью датчика скорости потока на алюминиевом основании с нанопористым Al₂О₃ / К. В. Чернякова [и др.] // Новые направления развития приборостроения : материалы 10-й международной научно-технической конференции молодых ученых и студентов, Минск, 26−28 апреля 2017 г. : в 2 т. / Белорусский национальный технический университет ; ...

2017-06-20
Улучшение фотоэлектрических свойств ячейки перовскита на основе метиламмония иодида свинца путем оптимизации характеристик катодного слоя TiOx

Врублевский, И. А.; Карпич, Р.; Черянкова, К. В.; Тучковский, А. К.; Лушпа, Н. В. (БНТУ, 2020)

The influence of the characteristics of the TiOx-based cathodic layer on the photoelectric properties of the perovskite cell was investigated. The formed TiOx layer played the role of an n-type semiconductor. A 2 μm thick perovskite layer based on methylammonium lead iodide was deposited by centrifugation in an argon atmosphere at 85-90 °C. At the final stage, the cathodic and ...

2021-02-03