Показывается возможность определения ширины запрещенной зоны полупроводника с помощью математической модели температурной зависимости плотности состояний в широком энергетическом диапазоне. Определяется спектр ширины запрещенной зоны по модели и сравнивается с экспериментальными результатами. Разработана методика определения температурной зависимости ширины запрещенной зоны с ...