Browsing by Author "Borzdov, V. M."

Now showing items 1-2 of 2

    • Monte Carlo Simulation of Flash Memory Elements’ Electrophysical Parameters 

      Zhevnyak, O. G.; Borzdov, V. M.; Borzdov, A. V.; Petlitsky, A. N. (БНТУ, 2022)
      Operation of modern flash memory elements is based on electron transport processes in the channel of silicon MOSFETs with floating gate. The aim of this work was calculation of electron mobility and study of the influence of phonon and ionized impurity scattering mechanisms on the mobility, as well as calculation of parasitic tunneling current and channel current in the conductive ...
      2022-12-29

    • Numerical simulation of electric characteristics of deep submicron silicon-on-insulator MOS transistor 

      Borzdov, A. V.; Borzdov, V. M.; Dorozhkin, N. N. (БНТУ, 2016)
      На сегодняшний день субмикронные МОП-транзисторные структуры кремний-на-изоляторе (КНИ) широко используются в различных электронных устройствах, а также могут применяться в качестве сенсорных элементов. Разработка приборов с заданными характеристиками на основе этих структур невозможна без компьютерного моделирования их электрических свойств. Для глубокосубмикронных транзисторных ...
      2016-09-11