Тонкая структура спектров электролюминесценции (ЭЛ) светоизлучающих диодов (СИД) с одиночной квантовой ямой INGaN/GaN
| dc.contributor.author | Бобученко, Д. С. | ru |
| dc.contributor.author | Доманевский, Д. С. | ru |
| dc.contributor.author | Хорунжий, И. А. | ru |
| dc.coverage.spatial | Минск | ru |
| dc.date.accessioned | 2021-08-30T11:17:00Z | |
| dc.date.available | 2021-08-30T11:17:00Z | |
| dc.date.issued | 2008 | |
| dc.identifier.citation | Бобученко, Д. С. Тонкая структура спектров электролюминесценции (ЭЛ) светоизлучающих диодов (СИД) с одиночной квантовой ямой INGaN/GaN / Д. С. Бобученко, Д. С. Доманевский, И. А. Хорунжий // Наука - образованию, производству, экономике : материалы Шестой международной научно-технической конференции : в 3 т. / Белорусский национальный технический университет ; редкол.: Б. М. Хрусталев, Ф. А. Романюк, А. С. Калиниченко. – Минск : БНТУ, 2008. – Т. 2. – С. 260. | ru |
| dc.identifier.uri | https://rep.bntu.by/handle/data/100264 | |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.publisher | БНТУ | ru |
| dc.title | Тонкая структура спектров электролюминесценции (ЭЛ) светоизлучающих диодов (СИД) с одиночной квантовой ямой INGaN/GaN | ru |
| dc.type | Working Paper | ru |
