Now showing items 1-8 of 8

    • Выращивание и спектроскопические характеристики кристаллов LI2MG2(MOO4)3 И LI2MG2(MOO4)3:CO2+ 

      Трифонов, В. А.; Горбаченя, К. Н.; Ясюкевич, А. С.; Кулешов, Н. В. (2013)
      В статье определены состав шихты и параметры процесса выращивания объемных однородных кристаллов Li2Mg2(MoO4)3 и Li2Mg2(MoO4)3:Co2+ (1 ат. %) модифицированным методом Чохральского в условиях низких градиентов температуры (<1 град/см). Полосы 1500, 750 и 600 нм в спектрах оптического поглощения в кристаллах Li2Mg2(MoO4)3:Со2+ относятся к ионам Со2+, имеющим электронную конфигурацию ...
      2021-11-16
    • Лазерная генерация на кристаллах Er:LiYF4 и Er:LiLuF4 с резонансной накачкой 

      Горбаченя, К. Н.; Курильчик, С. В.; Кисель, В. Э.; Ясюкевич, А. С.; Кулешов, Н. В.; Низамутдинов, А. С.; Кораблева, С. Л.; Семашко, В. В. (2016)
      Исследованы спектроскопические свойства кристаллов Er:LiLuF4 и Er:LiYF4 в спектральной области около 1.5 мкм, а также их генерационные характеристики в условиях резонансной лазерной накачки на длине волны 1522 нм. На кристалле Er:LiLuF4 достигнута максимальная дифференциальная эффективность генерации по поглощенной мощности накачки 44% с длиной волны излучения 1609 нм. Впервые ...
      2016-04-22
    • Насыщающиеся поглотители для пассивной модуляции добротности эрбиевых лазеров, излучающих в области 3 мкм 

      Кисель, В. Э.; Щербицкий, В. Г.; Кулешов, Н. В.; Постнова, Л. И.; Левченко, В. И. (2005)
      Насыщающиеся поглотители для пассивной модуляции добротности эрбиевых лазеров, излучающих в области 3 мкм / В. Э. Кисель [и др.] // Журнал прикладной спектроскопии. - 2005. – Т. 72 № 6. - С. 747-751.
      2016-12-22
    • Непрерывный YVO4:Er-лазер с резонансной накачкой 

      Горбаченя, К. Н.; Кисель, В. Э.; Ясюкевич, А. С.; Матросов, В. Н.; Толстик, Н. А.; Кулешов, Н. В. (Институт физики им. Б.И. Степанова НАН Беларуси, 2015)
      Проведено исследование генерационных характеристик YVO 4:Er-лазера при резонансной накачке в области 1.5-1.6 мкм. Получена лазерная генерация на l = 1603 нм с дифференциальной эффективностью до 61 %. Показана перспективность создания эффективных лазеров с резонансной накачкой на основе кристалла YVO 4:Er.
      2019-03-01
    • Олимпиада - индикатор уровня подготовки студентов в области оптотехники 

      Артюхина, Н. К.; Кулешов, Н. В. (Рэспубліканскі інстытут вышэйшай школы, 2017)
      Интеллектуальный потенциал нации – один из основных стратегических ресурсов экономического и социального развития страны. Наше государство уделяет пристальное внимание вопросам его развития и рационального использования. Государственная поддержка, важнейшим элементом которой является специальный фонд Президента Республики Беларусь, дает возможность талантливым молодым людям ...
      2022-12-10
    • Особенности выращивания и свойства тонкопленочных монокристаллических структур на основе двойных вольфраматов 

      Гурецкий, С. А.; Лугинец, А. М.; Колесова, И. М.; Кравцов, А. В.; Кулешов, Н. В.; Курильчик, С. В.; Кисель, В. Э.; Малютин, В. Б.; Ермолаев, А. А.; Карпенко, С. А. (Беларуская навука, 2013)
      Особенности выращивания и свойства тонкопленочных монокристаллических структур на основе двойных вольфраматов / С. А. Гурецкий [и др.] // Весцi Нацыянальнай акадэмii навук Беларусi. Серыя фiзiка-матэматычных навук. - 2013. - № 4. - С. 73-77.
      2014-12-12
    • Раствор-расплавная кристаллизация, термические и спектрально-люминесцентные свойства твердых растворов (ER,YB,LU)AL3(BO3)4 

      Мальцев, В. В.; Напрасников, Д. А.; Лясников, А. Д.; Леонюк, Н. И.; Горбаченя, К. Н.; Кисель, В. Э.; Ясюкевич, А. С.; Кулешов, Н. В. (Наука, 2018)
      Изучено фазообразование в псевдочетверной системе LuAl3(BO3)4–(K2Mo3O10–Al2O3–B2O3) в температурном интервале 1130–900°С. Фазовые соотношения представлены графически в виде проекции формирования твердых фаз в этом диапазоне на треугольник составов при 900°С. Оптимальные результаты по раствор-расплавной кристаллизации получены при содержании LuAl3(BO3)4 в исходной шихте 25 мас. ...
      2023-12-08
    • Рост и спектроскопические свойства эпитаксиальных слоев Er:KGdxYbyY(1-x-y)(WO4)2 для лазерных применений 

      Гурецкий, С. А.; Колесова, И. М.; Труханова, Е. Л.; Курильчик, С. В.; Дернович, О. П.; Кисель, В. Э.; Кулешов, Н. В. (ВГТУ, 2017)
      В данной работе были разработаны теплофизические условия получения на подложках монокристаллов KY(WO4)2 методом жидкофазной эпитаксии монокристаллических пленочных структур KGdxYbyY(1-x-y)(WO4)2.
      2022-08-11