Show simple item record

dc.contributor.authorПавлюченко, В. В.Дефектоскопия
dc.contributor.authorДорошевич, Е. С.Дефектоскопия
dc.coverage.spatialСвердловскru
dc.date.accessioned2014-11-10T07:01:29Z
dc.date.available2014-11-10T07:01:29Z
dc.date.issued2013
dc.identifier.citationПавлюченко, В. В. Использование магнитного гистерезиса при контроле объектов из электропроводящих материалов в импульсных магнитных полях / В. В. Павлюченко, Е. С. Дорошевич // Дефектоскопия. – 2013. – № 6. – С. 46-61.ru
dc.identifier.urihttps://rep.bntu.by/handle/data/10575
dc.description.abstractПриведены распределения электрического напряжения U(t), снимаемого с индукционной магнитной головки при сканировании ею дискретного магнитного носителя с записями остаточных магнитных полей, полученных при воздействии на магнитный носитель с контролируемым объектом импульсным магнитным полем с выбросами разной полярности. Возникновение упорядоченных распределений остаточных магнитных полей на магнитном носителе в результате последовательного воздействия на него импульсами магнитного поля названо гистерезисной интерференцией импульсного магнитного поля (HI). Описаны схема экспериментальной установки для исследования распространения импульсных магнитных полей, а также способы контроля объектов из электропроводящих и магнитных материалов, повышающие точность определения их удельной электропроводности σ, магнитной проницаемости μ, однородности распределения σ и μ, толщины и параметров дефектов сплошности в них.ru
dc.language.isoruru
dc.publisherНаукаru
dc.titleИспользование магнитного гистерезиса при контроле объектов из электропроводящих материалов в импульсных магнитных поляхru
dc.typeArticleru


Files in this item

Thumbnail

This item appears in the following Collection(s)

Show simple item record