Влияние предварительной гидрогенизации на образование электронных ловушек в n-GaAs, облученном гамма квантами
| dc.contributor.author | Бумай, Ю. А. | ru |
| dc.contributor.author | Коршунов, Ф. П. | ru |
| dc.contributor.author | Курилович, Н. Ф. | ru |
| dc.contributor.author | Прохоренко, Т. А. | ru |
| dc.contributor.author | Шешолко, В. К. | ru |
| dc.coverage.spatial | Минск | ru |
| dc.date.accessioned | 2021-11-16T06:46:51Z | |
| dc.date.available | 2021-11-16T06:46:51Z | |
| dc.date.issued | 2006 | |
| dc.identifier.citation | Влияние предварительной гидрогенизации на образование электронных ловушек в n-GaAs, облученном гамма квантами / Ю. А. Бумай [и др.] // Наука - образованию, производству, экономике : материалы Третьей международной научно-технической конференции : в 2 т. / Белорусский национальный технический университет ; редкол.: Б. М. Хрусталев, Ф. А. Романюк, А. С. Калиниченко. – Минск : БНТУ, 2006. – Т. 2. – С. 446-450. | ru |
| dc.identifier.uri | https://rep.bntu.by/handle/data/106557 | |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.publisher | БНТУ | ru |
| dc.title | Влияние предварительной гидрогенизации на образование электронных ловушек в n-GaAs, облученном гамма квантами | ru |
| dc.type | Working Paper | ru |
