| dc.contributor.author | Бринкевич, Д. И. | ru |
| dc.contributor.author | Просолович, В. С. | ru |
| dc.contributor.author | Черный, В. В. | ru |
| dc.coverage.spatial | Минск | ru |
| dc.date.accessioned | 2022-02-02T08:10:10Z | |
| dc.date.available | 2022-02-02T08:10:10Z | |
| dc.date.issued | 2021 | |
| dc.identifier.citation | Бринкевич, Д. И. Особенности имплантации ионов Р+, В+ И Sb+ в пленки позитивного фоторезиста ФП9120 на кремнии = Features of implantation of Р+, В+ AND Sb+ ions into films of FP9120 positive photoresist on silicon / Д. И. Бринкевич, В. С. Просолович, В. В. Черный // Приборостроение-2021 : материалы 14-й Международной научно-технической конференции, 17-19 ноября 2021 года, Минск, Республика Беларусь / редкол.: О. К. Гусев (председатель) [и др.]. – Минск : БНТУ, 2021. – С. 258-260. | ru |
| dc.identifier.uri | https://rep.bntu.by/handle/data/109526 | |
| dc.description.abstract | Методом ИК-Фурье спектроскопии нарушенного полного внутреннего отражения (НПВО) исследованы пленки диазохинон-новолачного фоторезиста ФП9120 толщиной 1,8–5,0 мкм, имплантиро- ванные ионами B+, Р+ и Sb+ c энергией 60 кэВ в интервале доз 5*10^14–6*10^17 cм-2. Рассмотрены различные механизмы радиационно-индуцированной модификации структурных и оптических свойств пленок ДХН-резистов за областью пробега ионов, обусловленные электронным и ядерным механизмами торможения ионов. | ru |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.publisher | БНТУ | ru |
| dc.title | Особенности имплантации ионов Р+, В+ И Sb+ в пленки позитивного фоторезиста ФП9120 на кремнии | ru |
| dc.title.alternative | Features of implantation of Р+, В+ AND Sb+ ions into films of FP9120 positive photoresist on silicon | ru |
| dc.type | Working Paper | ru |
| local.description.annotation | Diazoquinone-novolac photoresist films with 1,8–5,0 μm thick, implanted with B+, P+, and Sb+ ions with an energy of 60 keV in the dose range 5*10^14–6* 10^17 cm-2 were investigated. Various mechanisms of radiation- induced modification of the structural and optical properties of resist films beyond the ion path region, caused by the electronic and nuclear mechanisms of ion inhibition, were considered. | ru |
