| dc.contributor.author | Колесникова, Е. А. | ru |
| dc.contributor.author | Углов, В. В. | ru |
| dc.contributor.author | Тетеруков, Е. В. | ru |
| dc.coverage.spatial | Минск | ru |
| dc.date.accessioned | 2022-02-02T08:10:12Z | |
| dc.date.available | 2022-02-02T08:10:12Z | |
| dc.date.issued | 2021 | |
| dc.identifier.citation | Колесникова, Е. А. Исследование электрических свойств пленок антимонида индия (InSb), облученных гамма-квантами = Investigation of the electric properties of indium antimonide films (InSb) irradiated by gamma rays / Е. А. Колесникова, В. В. Углов, Е. В. Тетеруков // Приборостроение-2021 : материалы 14-й Международной научно-технической конференции, 17-19 ноября 2021 года, Минск, Республика Беларусь / редкол.: О. К. Гусев (председатель) [и др.]. – Минск : БНТУ, 2021. – С. 288-289. | ru |
| dc.identifier.uri | https://rep.bntu.by/handle/data/109543 | |
| dc.description.abstract | В работе представлены исследования влияния облучения гамма-квантами Со60 с экспозиционной дозой не менее 1015−1016 кв./см2 на удельное электросопротивление гетероэпитаксиальных пленок InSb, сформированных методом взрывного термического испарения. Условия облучения являются имитацией радиационного воздействия на околоземной орбите с поглощенной дозой не менее 2·(106−107) рад. Проведенные исследования показали, что в результате облучения удельное сопротивление пленок InSb не изменяется, что свидетельствует о высокой стойкости гетероэпитаксиальных пленок InSb и устройств на их основе к заданным радиационным воздействиям. | ru |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.publisher | БНТУ | ru |
| dc.title | Исследование электрических свойств пленок антимонида индия (InSb), облученных гамма-квантами | ru |
| dc.title.alternative | Investigation of the electric properties of indium antimonide films (InSb) irradiated by gamma rays | ru |
| dc.type | Working Paper | ru |
| local.description.annotation | In this work, presents a study of the effect of irradiation with Co60 γ−irradiation with an exposure dose of at least 1015−1016 cm-2 on the electrical resistivity of heteroepitaxial InSb films formed by explosive thermal evaporation. The irradiation conditions are imitation of radiation exposure in Earth orbit with an absorbed dose of at least 2·(106−107) rad. The studies carried out have shown that, as a result of irradiation, the electrical resistivity of InSb films does not change, which indicates a high resistant of heteroepitaxial InSb films and devices based on them to the specified radiation effects. | ru |
