| dc.contributor.author | Воробей, Р. И. | ru |
| dc.contributor.author | Гусев, О. К. | ru |
| dc.contributor.author | Свистун, А. И. | ru |
| dc.contributor.author | Тявловский, А. К. | ru |
| dc.contributor.author | Тявловский, К. Л. | ru |
| dc.contributor.author | Шадурская, Л. И. | ru |
| dc.coverage.spatial | Минск | ru |
| dc.date.accessioned | 2022-02-02T08:10:20Z | |
| dc.date.available | 2022-02-02T08:10:20Z | |
| dc.date.issued | 2021 | |
| dc.identifier.citation | Фотоприемник с переключаемой характеристикой спектральной чувствительности = Photodetector with the switched characteristic of spectral response / Р. И. Воробей [и др.] // Приборостроение-2021 : материалы 14-й Международной научно-технической конференции, 17-19 ноября 2021 года, Минск, Республика Беларусь / редкол.: О. К. Гусев (председатель) [и др.]. – Минск : БНТУ, 2021. – С. 45-47. | ru |
| dc.identifier.uri | https://rep.bntu.by/handle/data/109619 | |
| dc.description.abstract | Полупроводниковые приборные структуры с глубокой многозарядной примесью позволяют создавать фотоприемники для систем оптической диагностики с переключаемым видом спектральной характеристики чувствительности. Реализуемая спектральная характеристика чувствительности определяется заселенностью энергетических уровней многозарядной примеси. Набор спектральных характеристик, между которыми осуществляется переключение, определяется комбинацией материалов полупроводника и глубокой многозарядной примеси. | ru |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.publisher | БНТУ | ru |
| dc.title | Фотоприемник с переключаемой характеристикой спектральной чувствительности | ru |
| dc.title.alternative | Photodetector with the switched characteristic of spectral response | ru |
| dc.type | Working Paper | ru |
| local.description.annotation | Semi-conductor structures with deep multicharge impurity allow to create photodetectors for systems of optical diagnostic with a switched aspect of spectral characteristics of sensitivity. The implemented spectral characteristics of sensitivity are defined by population of power levels многозарядной impurity. The set of spectral characteristics between which switching is carried out, is defined by a combination of materials of the semiconductor and deep multicharge impurity. | ru |
