| dc.contributor.author | Комаров, Ф. Ф. | ru |
| dc.contributor.author | Романов, И. А. | ru |
| dc.contributor.author | Власукова, Л. А. | ru |
| dc.contributor.author | Пархоменко, И. Н. | ru |
| dc.contributor.author | Моховиков, М. А. | ru |
| dc.contributor.author | Цивако, А. А. | ru |
| dc.contributor.author | Ковальчук, Н. С. | ru |
| dc.coverage.spatial | Минск | ru |
| dc.date.accessioned | 2022-02-02T08:10:25Z | |
| dc.date.available | 2022-02-02T08:10:25Z | |
| dc.date.issued | 2021 | |
| dc.identifier.citation | Мемристорная структура на основе нестехиометрического нитрида кремния = Memristor structure based on nonstoichiometric silicon nitride / Ф. Ф. Комаров [и др.] // Приборостроение-2021 : материалы 14-й Международной научно-технической конференции, 17-19 ноября 2021 года, Минск, Республика Беларусь / редкол.: О. К. Гусев (председатель) [и др.]. – Минск : БНТУ, 2021. – С. 83-85. | ru |
| dc.identifier.uri | https://rep.bntu.by/handle/data/109661 | |
| dc.description.abstract | Исследованы электрофизические свойства и эффект резистивного переключения мемристорной структуры ITO/SiNx/Si. Концентрация избыточных атомов кремния в пленке SiNx, толщиной ~200 нм, увеличивалась от 16 до 77 % по мере продвижения вглубь образца. Обсуждаются эффект переключения сопротивления и механизмы проводимости в состояниях с высоким и низким сопротивлением. Для данной структуры также обнаружен эффект фотопереключения. | ru |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.publisher | БНТУ | ru |
| dc.title | Мемристорная структура на основе нестехиометрического нитрида кремния | ru |
| dc.title.alternative | Memristor structure based on nonstoichiometric silicon nitride | ru |
| dc.type | Working Paper | ru |
| local.description.annotation | The electrophysical properties and the resistive switching effect of the ITO/SiNx/Si memristor structure have been studied. Concentration of excess silicon atoms in the SiNx film with a thickness of ~200 nm increases from 16 to 77 % when approaching the Si substrate.The resistive switching effect and conduction mechanism at high and low resistance states are discussed. The photo-switching effect was also found for that structure. | ru |
