| dc.contributor.author | Сопряков, В. И. | ru |
| dc.contributor.author | Головня, К. Ч. | ru |
| dc.coverage.spatial | Минск | ru |
| dc.date.accessioned | 2022-02-02T08:10:29Z | |
| dc.date.available | 2022-02-02T08:10:29Z | |
| dc.date.issued | 2021 | |
| dc.identifier.citation | Сопряков, В. И. Фотоемкостной метод контроля параметров примесей и дефектов в полупроводниковых структурах = Photocapacitive method for monitoring the parameters of impurities and defects in semiconductor structures / В. И. Сопряков, К. Ч. Головня // Приборостроение-2021 : материалы 14-й Международной научно-технической конференции, 17-19 ноября 2021 года, Минск, Республика Беларусь / редкол.: О. К. Гусев (председатель) [и др.]. – Минск : БНТУ, 2021. – С. 129-130. | ru |
| dc.identifier.uri | https://rep.bntu.by/handle/data/109686 | |
| dc.description.abstract | Предложен фотоемкостной метод, позволяющий контролировать параметры ловушек неосновных и основных носителей заряда в полупроводниковых структурах с малым временем жизни (1–30 нс). Метод основан на перезарядке глубоких уровней импульсным фототоком и измерении кривых релаксации высокочастотной емкости. | ru |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.publisher | БНТУ | ru |
| dc.title | Фотоемкостной метод контроля параметров примесей и дефектов в полупроводниковых структурах | ru |
| dc.title.alternative | Photocapacitive method for monitoring the parameters of impurities and defects in semiconductor structures | ru |
| dc.type | Working Paper | ru |
| local.description.annotation | A photocapacitive method is proposed that makes it possible to control the parameters of traps of minority and major charge carriers in semiconductor structures with a short lifetime (1–30 ns). The method is based on recharging deep levels by a pulsed photocurrent and measuring the relaxation curves of high-frequency capacitance. | ru |
