Технологические методы повышения электроизоляционной прочности двухсторонних алюмооксидных оснований с отверстиями для многокристальных модулей

Abstract

Проведен сравнительный анализ влияния оптимизированных технологических методов, приемов и режимов на повышение электроизоляционной прочности диэлектрических покрытий двухсторонних алюмооксидных оснований как на сплошной поверхности, так и в сквозных переходных отверстиях для потенциальных применений в силовых многокристальных модулях. Установлено, что для обеспечения высоких пробивных напряжений необходимо выполнять грунтовку (заполнение пор) пористого анодного оксида алюминия и залечивание дефектных микротрещин Al2O3 в переходных отверстиях кремнийорганическим лаком в ультразвуковой ванне. Показано, что после применения соответствующих технологических приемов значения пробивных напряжений изготовленных тестовых образцов составляли до ~6 кВ на рабочих поверхностях без отверстий и до ~2 кВ в переходных отверстиях.