Технология полупроводниковых P-N структур молекулярно-лучевой эпитаксией
| dc.contributor.author | Беляева, О. Д. | ru |
| dc.contributor.author | Сычик, В. А. | ru |
| dc.coverage.spatial | Минск | ru |
| dc.date.accessioned | 2022-09-22T07:30:49Z | |
| dc.date.available | 2022-09-22T07:30:49Z | |
| dc.date.issued | 2012 | |
| dc.identifier.citation | Беляева, О. Д. Технология полупроводниковых P-N структур молекулярно-лучевой эпитаксией / О. Д. Беляева, В. А. Сычик // Новые направления развития приборостроения : материалы 5-й Международной студенческой научно-технической конференции, 18-20 апреля 2012 г. / редкол.: О. К. Гусев [и др.]. – Минск : БНТУ, 2012. – С. 151. | ru |
| dc.identifier.uri | https://rep.bntu.by/handle/data/119481 | |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.publisher | БНТУ | ru |
| dc.title | Технология полупроводниковых P-N структур молекулярно-лучевой эпитаксией | ru |
| dc.type | Working Paper | ru |
