Физические основы методов испытания приборов на основе полупроводниковых материалов с глубокими центрами
dc.contributor.author | Тявловский, К. Л. | ru |
dc.contributor.author | Шадурская, Л. И. | ru |
dc.contributor.author | Яржембицкая, Н. В. | ru |
dc.coverage.spatial | Минск | ru |
dc.date.accessioned | 2015-01-14T06:37:05Z | |
dc.date.available | 2015-01-14T06:37:05Z | |
dc.date.issued | 2014 | |
dc.identifier.citation | Тявловский, К. Л. Физические основы методов испытания приборов на основе полупроводниковых материалов с глубокими центрами / К. Л. Тявловский, Л. И. Шадурская, Н. В. Яржембицкая // Наука – образованию, производству, экономике : материалы 12-й Международной научно-технической конференции. Т. 2. - Минск : БНТУ, 2014. - С. 187. | ru |
dc.identifier.uri | https://rep.bntu.by/handle/data/12068 | |
dc.language.iso | ru | ru |
dc.publisher | БНТУ | ru |
dc.title | Физические основы методов испытания приборов на основе полупроводниковых материалов с глубокими центрами | ru |
dc.type | Working Paper | ru |