| dc.contributor.author | Жарин, А. Л. | ru |
| dc.contributor.author | Петлицкий, А. Н. | ru |
| dc.contributor.author | Пилипенко, В. А. | ru |
| dc.contributor.author | Тявловский, А. К. | ru |
| dc.contributor.author | Тявловский, К. Л. | ru |
| dc.contributor.author | Гусев, О. К. | ru |
| dc.contributor.author | Воробей, Р. И. | ru |
| dc.contributor.author | Пантелеев, К. В. | ru |
| dc.coverage.spatial | Минск | ru |
| dc.date.accessioned | 2022-12-28T10:38:22Z | |
| dc.date.available | 2022-12-28T10:38:22Z | |
| dc.date.issued | 2022 | |
| dc.identifier.citation | Характеризация технологических процессов получения туннельного окисла с использованием методов сканирующей зондовой электрометрии = Characterisation of tunneling oxidation technological process using scanning probe electrometry technique / А. Л. Жарин [и др.] // Приборостроение-2022 : материалы 15-й Международной научно-технической конференции, 16-18 ноября 2022 года, Минск, Республика Беларусь / редкол.: О. К. Гусев (председатель) [и др.]. – Минск : БНТУ, 2022. – С. 126-128. | ru |
| dc.identifier.uri | https://rep.bntu.by/handle/data/124443 | |
| dc.description.abstract | Рассмотрено применение установки фотостимулированной сканирующей зондовой электрометрии для выявления дефектов ионно-легированных и диффузионных слоев полупроводниковой пластины после операции туннельного окисления, выполненной в различных технологических режимах. Измерения в двух режимах (измерения контактной разности потенциалов и визуализации длины диффузии неравновесных носителей заряда) являются взаимодополняющими, позволяя выявлять различные виды дефектов на одной и той же поверхности. | ru |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.publisher | БНТУ | ru |
| dc.title | Характеризация технологических процессов получения туннельного окисла с использованием методов сканирующей зондовой электрометрии | ru |
| dc.title.alternative | Characterisation of tunneling oxidation technological process using scanning probe electrometry technique | ru |
| dc.type | Working Paper | ru |
| local.description.annotation | A photostimulated scanning probe electrometry device was applied for detecting defects in ion-doped and diffusion layers of a semiconductor wafer after the operation of tunnel oxidation performed in various technological modes. Two modes of measurement (contact potential difference measurements and visualisation of diffusion length of nonequilibrium charge carriers) are shown to be complementary allowing to detect different types of defects on the same wafer. | ru |
