| dc.contributor.author | Пархоменко, И. Н. | ru |
| dc.contributor.author | Власукова, Л. А. | ru |
| dc.contributor.author | Комаров, Ф. Ф. | ru |
| dc.contributor.author | Романов, И. А. | ru |
| dc.contributor.author | Альжанова, А. Е. | ru |
| dc.contributor.author | Демидович, С. А. | ru |
| dc.contributor.author | Ковальчук, Н. С. | ru |
| dc.coverage.spatial | Минск | ru |
| dc.date.accessioned | 2022-12-28T10:38:28Z | |
| dc.date.available | 2022-12-28T10:38:28Z | |
| dc.date.issued | 2022 | |
| dc.identifier.citation | Влияние верхнего оксидного слоя в оптических микрорезонаторах на основе нитрида кремния = The effect of upper oxide layer in optical capacitor based on silicon nitride / И. Н. Пархоменко [и др.] // Приборостроение-2022 : материалы 15-й Международной научно-технической конференции, 16-18 ноября 2022 года, Минск, Республика Беларусь / редкол.: О. К. Гусев (председатель) [и др.]. – Минск : БНТУ, 2022. – С. 265-267. | ru |
| dc.identifier.uri | https://rep.bntu.by/handle/data/124521 | |
| dc.description.abstract | Структуры SiNx/SiOx и SiOx/SiNx/SiOx были изготовлены на кремниевых подложках методами химического осаждения (PECVD, LPCVD). Показано, что верхний слой оксида кремния защищает нижележащий нитридный слой от непреднамеренного окисления во время быстрого термического отжига в инертной среде (1100 °C, 3 мин). Кроме того, верхний слой оксида кремния увеличивает выход фотолюминесценции от слоя нитрида кремния в три раза. Обсуждается различие слоев оксида кремния, образующегося при высокотемпературном отжиге SiNx и слоя SiO2, нанесенного на слой нитрида кремния методом PECVD. | ru |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.publisher | БНТУ | ru |
| dc.title | Влияние верхнего оксидного слоя в оптических микрорезонаторах на основе нитрида кремния | ru |
| dc.title.alternative | The effect of upper oxide layer in optical capacitor based on silicon nitride | ru |
| dc.type | Working Paper | ru |
| local.description.annotation | Nonlinear equation for propagation of the nerve impulse in biological systems is considered. For this equation the solutions of different topological classes are constructed. | ru |
