| dc.contributor.author | Гацкевич, Е. И. | ru |
| dc.coverage.spatial | Минск | ru |
| dc.date.accessioned | 2022-12-28T10:43:17Z | |
| dc.date.available | 2022-12-28T10:43:17Z | |
| dc.date.issued | 2022 | |
| dc.identifier.citation | Гацкевич, Е. И. Моделирование динамики отражения многослойных систем с движущимися границами = Simulation of reflection dynamics of multilayer systems with moving boundaries / Е. И. Гацкевич // Приборостроение-2022 : материалы 15-й Международной научно-технической конференции, 16-18 ноября 2022 года, Минск, Республика Беларусь / редкол.: О. К. Гусев (председатель) [и др.]. – Минск : БНТУ, 2022. – С. 231-232. | ru |
| dc.identifier.uri | https://rep.bntu.by/handle/data/124547 | |
| dc.description.abstract | В настоящей работе на основе теории распространения света в многослойных поглощающих средах проведено моделирование динамики отражения структуры аморфная пленка Ge на подложке кристаллического Si в условиях лазерно-индуцированного плавления и последующего отвердевания. Рассмотрены следующие ситуации при отвердевании: 1) граница фазового перехода расплав – твердое тело движется от подложки по направлению к поверхности, 2) отвердевание происходит как со стороны поверхности, так и со стороны подложки. | ru |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.publisher | БНТУ | ru |
| dc.title | Моделирование динамики отражения многослойных систем с движущимися границами | ru |
| dc.title.alternative | Simulation of reflection dynamics of multilayer systems with moving boundaries | ru |
| dc.type | Working Paper | ru |
| local.description.annotation | Simulation of reflection dynamics of amorphous Ge film on crystalline Si substrate under conditions of laser-induced melting and subsequent solidification has been carried out. The simulation is based on the theory of light propagation in multilayer absorbing media. The following situations for solidification are considered: 1) the phase transition melt – solid boundary moves from the substrate towards the surface, 2) solidification occurs both from the side of the surface and from the side of the substrate. | ru |
