| dc.contributor.author | Ювченко, В. Н. | ru |
| dc.contributor.author | Комаров, А. Ф. | ru |
| dc.contributor.author | Мискевич, С. А. | ru |
| dc.contributor.author | Ермолаев, А. П. | ru |
| dc.coverage.spatial | Минск | ru |
| dc.date.accessioned | 2022-12-28T10:43:19Z | |
| dc.date.available | 2022-12-28T10:43:19Z | |
| dc.date.issued | 2022 | |
| dc.identifier.citation | Модель пространственно-временной эволюции концентрации возбужденных носителей заряда в активной области приборов электроники при облучении высокоэнергетическими ионами = The model of time and space evolution of excited carriers density in the active region of electronics devices irratiated with high-energy ions / В. Н. Ювченко [и др.] // Приборостроение-2022 : материалы 15-й Международной научно-технической конференции, 16-18 ноября 2022 года, Минск, Республика Беларусь / редкол.: О. К. Гусев (председатель) [и др.]. – Минск : БНТУ, 2022. – С. 280-282. | ru |
| dc.identifier.uri | https://rep.bntu.by/handle/data/124575 | |
| dc.description.abstract | Проведены расчеты пространственно-временной эволюции концентрации носителей заряда для начальных стадий формирования трека иона (до 10-13 с) в кремниевых структурах, облучаемых ионами Fe и Xe с энергиями до 547 МэВ. Рассчитанная максимальная концентрация возбужденных электронов в центральной области трека иона Xe с энергией 547 МэВ составляет 1,6*10**23 см-3 и сохраняется равной 5,4*10**21 см-3 к моменту времени 100 фс. Получены аналитические приближения рассчитанных зависимостей концентрации электронов от времени и расстояния до центра трека иона. | ru |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.publisher | БНТУ | ru |
| dc.title | Модель пространственно-временной эволюции концентрации возбужденных носителей заряда в активной области приборов электроники при облучении высокоэнергетическими ионами | ru |
| dc.title.alternative | The model of time and space evolution of excited carriers density in the active region of electronics devices irratiated with high-energy ions | ru |
| dc.type | Working Paper | ru |
| local.description.annotation | Time and space evolution of excited carriers density for the initial stages (up to 10-13 s ) of ion track formation in the silicon structures irradiated with Fe and Xe ions have been simulated. The calculated maximum concentrations of excited electrons in the central region of Xe ion track with an energy of 547 MeV is 1.6*10*823 cm-3 and remains as high as 5.4*10**21 cm-3 by the time of 100 fs. Analytical approximations of calculated dependencies are obtained. | ru |
