Определение времени окончания плазмохимического травления слоев p-GaN и AlGaN в гетероструктурах типа p-GaN/AlGaN/GaN с двумерным электронным газом с использованием лазерной интерферометрии

Abstract

Методом лазерной интерферометрии и сканирующей электронной микроскопии установлены закономерности изменения во времени интенсивности отраженного сигнала, регистрируемого детектором лазерного интерферометра с рабочей частотой 670 нм, в процессе реактивного ионного травления в индуктивно-связанной плазме в атмосфере Cl2/N2/O2 слоев p-GaN и AlGaN в гетероструктурах типа p-GaN/AlGaN/GaN. Установлено, что при переходе границы раздела p-GaN/AlGaN и AlGaN/GaN наблюдается скачкообразное изменение интенсивности отраженного сигнала в пределах 2,7–9,5 % в течение 20–40 с, обусловленное изменениями концентрации алюминия, показателей преломления и скорости травления на границах раздела. Полученные результаты позволяют с помощью лазерной интерферометрии в реальном масштабе времени опреде- лять время окончания процесса реактивного ионного травления в индуктивно-связанной плазме слоев AlGaN и p-GaN в гетероструктурах типа p-GaN/AlGaN/GaN c двумерным электронным газом.