| dc.contributor.author | Комаров, Ф. Ф. | ru |
| dc.contributor.author | Пархоменко, И. Н. | ru |
| dc.contributor.author | Мильчанин, О. В. | ru |
| dc.contributor.author | Моховиков, М. А. | ru |
| dc.contributor.author | Ивлев, Г. Д. | ru |
| dc.contributor.author | Власукова, Л. А. | ru |
| dc.contributor.author | Альжанова, А. Е. | ru |
| dc.contributor.author | Ван, Тин | ru |
| dc.coverage.spatial | Минск | ru |
| dc.date.accessioned | 2022-12-28T10:51:48Z | |
| dc.date.available | 2022-12-28T10:51:48Z | |
| dc.date.issued | 2022 | |
| dc.identifier.citation | Влияние режимов импульсного лазерного отжига на оптические свойства кремния, гипердопированного селеном, для фотодетекторов видимого и ик-диапазонов = Effect of pulsed laser annealing on optical properties of selenium-hyperdoped silicon for visible and ir photodetectors / Ф. Ф. Комаров [и др.] // Приборостроение-2022 : материалы 15-й Международной научно-технической конференции, 16-18 ноября 2022 года, Минск, Республика Беларусь / редкол.: О. К. Гусев (председатель) [и др.]. – Минск : БНТУ, 2022. – С. 298-299. | ru |
| dc.identifier.uri | https://rep.bntu.by/handle/data/124609 | |
| dc.description.abstract | Слои кремния, легированные селеном до концентраций (4–6)ꞏ1020 см–3, что на 4 порядка величины превышает предел равновесной растворимости этой примеси, получены ионной имплантацией с последующим импульсным лазерным отжигом (ИЛО) при плотностях энергии в импульсе W = 0,55; 0,8; 1,0; 1,5; 2,0 и 2,5 Дж/см2. Методом обратного резерфордовского рассеяния ионов гелия показано, что до 60–70 % внедренной примеси находится в позиции замещения в решетке кремния. Слои, гипердопированные селеном, проявляют существенное поглощение (36–40 %) в области длин волн 1100–2400 нм. | ru |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.publisher | БНТУ | ru |
| dc.title | Влияние режимов импульсного лазерного отжига на оптические свойства кремния, гипердопированного селеном, для фотодетекторов видимого и ик-диапазонов | ru |
| dc.title.alternative | Effect of pulsed laser annealing on optical properties of selenium-hyperdoped silicon for visible and ir photodetectors | ru |
| dc.type | Working Paper | ru |
| local.description.annotation | Layers of selenium-hyperdoped silicon with dopant concentration of up to (4–6)ꞏ1020 cm–3 that exceeds the limit of equilibrium solubility of this impurity by 4 orders of magnitude were obtained using ion implantation followed by pulsed laser annealing (PLA) at pulse energy densities of W = 0.55, 0.8, 1.0, 1.5, 2.0 and 2.5 J/cm2. Rutherford back scattering of helium ions demonstrated that up to 60–70 % of introduced impurity occupied silicon lattice sites. Selenium-hyperdoped layers exhibited substantial absorption (36–40 %) in the wavelength range of 1100–2400 nm. | ru |
