| dc.contributor.author | Реутская, О. Г. | ru |
| dc.contributor.author | Денисюк, С. В. | ru |
| dc.contributor.author | Куданович, О. Н. | ru |
| dc.contributor.author | Лугин, В. Г. | ru |
| dc.coverage.spatial | Минск | ru |
| dc.date.accessioned | 2022-12-28T10:51:52Z | |
| dc.date.available | 2022-12-28T10:51:52Z | |
| dc.date.issued | 2022 | |
| dc.identifier.citation | Газочувствительные слои в составе полупроводниковых сенсоров на алюмооксидных подложках = Gas sensitive layers as part of semiconductor sensors on aluminum oxide substrates / О. Г. Реутская [и др.] // Приборостроение-2022 : материалы 15-й Международной научно-технической конференции, 16-18 ноября 2022 года, Минск, Республика Беларусь / редкол.: О. К. Гусев (председатель) [и др.]. – Минск : БНТУ, 2022. – С. 441-443. | ru |
| dc.identifier.uri | https://rep.bntu.by/handle/data/124659 | |
| dc.description.abstract | Формирование газочувствительных слоев на алюмооксидных подложках обеспечивает воспроизводимость и стабильность характеристик, а также низкое энергопотребление сенсоров. Методики выбора режимов отжига и способа нанесения тонких пленок влияют на адгезионные свойства элементов конструкции. Получение развитых сплошных полупроводниковых слоев достигается многослойным нанесением оксидов металлов с применением капельных технологических приемов. Диапазон термообработки поверхности чувствительных элементов составляет от 100 °С до 800 °С. | ru |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.publisher | БНТУ | ru |
| dc.title | Газочувствительные слои в составе полупроводниковых сенсоров на алюмооксидных подложках | ru |
| dc.title.alternative | Gas sensitive layers as part of semiconductor sensors on aluminum oxide substrates | ru |
| dc.type | Working Paper | ru |
| local.description.annotation | The formation of gas-sensitive layers on aluminum oxide substrates ensures reproducibility and stability of characteristics, as well as low energy consumption of sensors. The methods of selecting annealing modes and the method of applying thin films affect the adhesive properties of structural elements. The production of developed solid semiconductor layers is achieved by multilayer deposition of metal oxides using drip technological techniques. The range of surface treatment of sensitive elements ranges from 100 °С to 800 °С. | ru |
