Show simple item record

dc.contributor.authorГацкевич, Е. И.ru
dc.coverage.spatialМинскru
dc.date.accessioned2023-12-21T07:32:12Z
dc.date.available2023-12-21T07:32:12Z
dc.date.issued2023
dc.identifier.citationГацкевич, Е. И. Релаксация температурного поля при облучении интерферирующими лазерными пучками = Relaxation of the temperature field under irradiatiom with interfering laser beams / Е. И. Гацкевич // Приборостроение-2023 : материалы 16-й Международной научно-технической конференции, 15-17 ноября 2023 года, Минск, Республика Беларусь / редкол.: О. К. Гусев (пред.) [и др.]. – Минск : БНТУ, 2023. – С. 211-212.ru
dc.identifier.urihttps://rep.bntu.by/handle/data/138489
dc.description.abstractИсследовано уравнение теплопроводности, описывающее релаксацию температурного поля, инициируемого облучением полупроводниковых структур интерферирующими пучками импульсного лазера. Найдено аналитическое решение уравнения теплопроводности с периодическим источником, связанным с передачей энергии от электронной подсистемы фононам. Проанализировано влияние релаксационных процессов на фононную температуру.ru
dc.language.isoruru
dc.publisherБНТУru
dc.titleРелаксация температурного поля при облучении интерферирующими лазерными пучкамиru
dc.title.alternativeRelaxation of the temperature field under irradiatiom with interfering laser beamsru
dc.typeWorking Paperru
local.description.annotationThe thermal conductivity equation describing the relaxation of the temperature field initiated by irradiation of semiconductor structures with interfering beams of a pulsed laser has been studied. An analytical solution of the heat equation with a periodic source associated with the transfer of energy from the electronic subsystem to phonons is found. The influence of relaxation processes on the phonon temperature is analysed.ru


Files in this item

Thumbnail

This item appears in the following Collection(s)

Show simple item record