dc.contributor.author | Гацкевич, Е. И. | ru |
dc.coverage.spatial | Минск | ru |
dc.date.accessioned | 2023-12-21T07:32:12Z | |
dc.date.available | 2023-12-21T07:32:12Z | |
dc.date.issued | 2023 | |
dc.identifier.citation | Гацкевич, Е. И. Релаксация температурного поля при облучении интерферирующими лазерными пучками = Relaxation of the temperature field under irradiatiom with interfering laser beams / Е. И. Гацкевич // Приборостроение-2023 : материалы 16-й Международной научно-технической конференции, 15-17 ноября 2023 года, Минск, Республика Беларусь / редкол.: О. К. Гусев (пред.) [и др.]. – Минск : БНТУ, 2023. – С. 211-212. | ru |
dc.identifier.uri | https://rep.bntu.by/handle/data/138489 | |
dc.description.abstract | Исследовано уравнение теплопроводности, описывающее релаксацию температурного поля, инициируемого облучением полупроводниковых структур интерферирующими пучками импульсного лазера. Найдено аналитическое решение уравнения теплопроводности с периодическим источником, связанным с передачей энергии от электронной подсистемы фононам. Проанализировано влияние релаксационных процессов на фононную температуру. | ru |
dc.language.iso | ru | ru |
dc.publisher | БНТУ | ru |
dc.title | Релаксация температурного поля при облучении интерферирующими лазерными пучками | ru |
dc.title.alternative | Relaxation of the temperature field under irradiatiom with interfering laser beams | ru |
dc.type | Working Paper | ru |
local.description.annotation | The thermal conductivity equation describing the relaxation of the temperature field initiated by irradiation of semiconductor structures with interfering beams of a pulsed laser has been studied. An analytical solution of the heat equation with a periodic source associated with the transfer of energy from the electronic subsystem to phonons is found. The influence of relaxation processes on the phonon temperature is analysed. | ru |