| dc.contributor.author | Литвинова, А. В. | ru |
| dc.contributor.author | Ефименко, С. А. | ru |
| dc.coverage.spatial | Минск | ru |
| dc.date.accessioned | 2023-12-21T07:32:25Z | |
| dc.date.available | 2023-12-21T07:32:25Z | |
| dc.date.issued | 2023 | |
| dc.identifier.citation | Литвинова, А. В. Особенности технологии изготовления GaN-приборов = Features of the manufacturing technology of GaN devices / А. В. Литвинова, С. А. Ефименко // Приборостроение-2023 : материалы 16-й Международной научно-технической конференции, 15-17 ноября 2023 года, Минск, Республика Беларусь / редкол.: О. К. Гусев (пред.) [и др.]. – Минск : БНТУ, 2023. – С. 425-426. | ru |
| dc.identifier.uri | https://rep.bntu.by/handle/data/138609 | |
| dc.description.abstract | Сегодня приборы на основе нитрида галлия находят широкое применение в силовой электронике. Рассмотрены базовые технологические процессы создания приборов на основе GaN: начиная с эпитаксии и заканчивая сборкой. | ru |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.publisher | БНТУ | ru |
| dc.title | Особенности технологии изготовления GaN-приборов | ru |
| dc.title.alternative | Features of the manufacturing technology of GaN devices | ru |
| dc.type | Working Paper | ru |
| local.description.annotation | Today, devices based on gallium nitride are widely used in power electronics. The basic technological processes of creating devices based on GaN are considered: starting with epitaxy and ending with assembly. | ru |
