| dc.contributor.author | Лисенков, Б. Н. | ru |
| dc.coverage.spatial | Минск | ru |
| dc.date.accessioned | 2023-12-21T07:32:28Z | |
| dc.date.available | 2023-12-21T07:32:28Z | |
| dc.date.issued | 2023 | |
| dc.identifier.citation | Лисенков, Б. Н. Измерение динамических параметров полупроводниковых приборов = Measurement of dynamic parameters of semiconductor devices / Б. Н. Лисенков // Приборостроение-2023 : материалы 16-й Международной научно-технической конференции, 15-17 ноября 2023 года, Минск, Республика Беларусь / редкол.: О. К. Гусев (пред.) [и др.]. – Минск : БНТУ, 2023. – С. 58-60. | ru |
| dc.identifier.uri | https://rep.bntu.by/handle/data/138626 | |
| dc.description.abstract | Изготовлен макет устройства, который обеспечивает измерение динамических параметров силовых МОП, IGBT, БТ транзисторов и характеристики восстановления силовых диодов. | ru |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.publisher | БНТУ | ru |
| dc.title | Измерение динамических параметров полупроводниковых приборов | ru |
| dc.title.alternative | Measurement of dynamic parameters of semiconductor devices | ru |
| dc.type | Working Paper | ru |
| local.description.annotation | A prototype of the device has been made, which provides measurement of the dynamic parameters of power MOS, IGBT, BT transistors and recovery characteristics of power diodes. | ru |
