Термоэлектрический холодильный элемент
Another Title
Thermoelectric refrigeration element
Bibliographic entry
Сычик, В. А. Термоэлектрический холодильный элемент = Thermoelectric refrigeration element / В. А. Сычик, В. С. Шумило, Н. Н. Уласюк // Приборостроение-2023 : материалы 16-й Международной научно-технической конференции, 15-17 ноября 2023 года, Минск, Республика Беларусь / редкол.: О. К. Гусев (пред.) [и др.]. – Минск : БНТУ, 2023. – С. 83-84.
Abstract
Термоэлектрический холодильный элемент содержит p- и n-полупроводниковые области с омическими контактами, n-p гетероперехода, толщина контактирующей с гетеропереходом n-области составляет (0,5–0,8)L, толщина контактирующей с гетеропереходом p-области составляет (2–5)L, где L – диффузионная длина пробега электронов, причем n-полупроводник является узко зонным, а p-полупроводник – широко зонным.
Abstract in another language
The thermoelectric refrigeration element contains p- and n-semiconductor regions with ohmic contacts, an n-p heterojunction, the thickness of the n-region in contact with the heterojunction is (0.5–0.8)L, the thickness of the p-region in contact with the heterojunction is (2–5)L, where L is the diffusion travel length of electrons, and the n-semiconductor is narrow-gap, and the p-semiconductor is wide-gap.