| dc.contributor.author | Сычик, В. А. | ru |
| dc.contributor.author | Глухманчук, В. В. | ru |
| dc.contributor.author | Уласюк, Н. Н. | ru |
| dc.coverage.spatial | Минск | ru |
| dc.date.accessioned | 2023-12-21T07:32:30Z | |
| dc.date.available | 2023-12-21T07:32:30Z | |
| dc.date.issued | 2023 | |
| dc.identifier.citation | Сычик, В. А. Синтез полупроводникового преобразователя солнечной энергии = Synthesis of semiconductor solar energy converter / В. А. Сычик, В. В. Глухманчук, Н. Н. Уласюк // Приборостроение-2023 : материалы 16-й Международной научно-технической конференции, 15-17 ноября 2023 года, Минск, Республика Беларусь / редкол.: О. К. Гусев (пред.) [и др.]. – Минск : БНТУ, 2023. – С. 85-87. | ru |
| dc.identifier.uri | https://rep.bntu.by/handle/data/138642 | |
| dc.description.abstract | Предложен метод синтеза структуры полупроводникового преобразователя солнечной энергии в электрическую, при котором изготавливают диэлектрическую подложку с синусоидальным периодическим профилем поверхности, формируют на этой поверхности первый омический контакт и последовательно наносят на образовавшуюся структуру сильнолегированный p+-слой из одного широкозонного полупроводника, затем наносят на p+-слой электропроводящий просветляющий слой, по периметру которого формируют второй омический металлический контакт. | ru |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.publisher | БНТУ | ru |
| dc.title | Синтез полупроводникового преобразователя солнечной энергии | ru |
| dc.title.alternative | Synthesis of semiconductor solar energy converter | ru |
| dc.type | Working Paper | ru |
| local.description.annotation | A method has been proposed for synthesizing the structure of a semiconductor converter of solar energy into electrical energy, in which a dielectric substrate with a sinusoidal periodic surface profile is manufactured, the first ohmic contact is formed on this surface and a heavily doped p+-layer from one wide-gap semiconductor is sequentially applied to the resulting structure, then applied to the p+-layer an electrically conductive antireflection layer, along the perimeter of which a second ohmic metal contact is formed. | ru |
