Влияние облучения быстрыми электронами на параметры диодов генераторов шума
Another Title
Effect of fast electron irradiation on the parameters of noise generator diodes
Bibliographic entry
Влияние облучения быстрыми электронами на параметры диодов генераторов шума = Effect of fast electron irradiation on the parameters of noise generator diodes / В. В. Буслюк [и др.] // Приборостроение-2023 : материалы 16-й Международной научно-технической конференции, 15-17 ноября 2023 года, Минск, Республика Беларусь / редкол.: О. К. Гусев (пред.) [и др.]. – Минск : БНТУ, 2023. – С. 178-179.
Abstract
Исследованы изменения электрофизических параметров кремниевых диодов-генераторов шума ND103L, при облучении быстрыми электронами с энергией 5 МэВ дозами 3·1013–1·1015 cм–2. Установлено, что величины обратных токов при всех значениях обратного напряжения существенно возрастают в процессе облучения. Эффективное напряжения шума и спектральная плотность напряжения шума в процессе облучения возрастают до доз 5·1013 и 3·1013 cм–2, соответственно. При дальнейшем увеличении потока электронов оба параметра уменьшаются. Облучение приводит также к значительному росту граничной частоты шумового сигнала и падению спектральной плотности напряжения шума в этой полосе частот. Результаты объясняются модификацией микроплазм радиационными дефектами.
Abstract in another language
Changes in the electrophysical parameters of ND103L silicon noise generator diodes have been studied when irradiated with fast electrons with an energy of 5 MeV doses 3·1013–1·1015 cm–2. It is established that the values of reverse currents at all values of reverse voltage increase significantly in the irradiation process. The effective noise voltage and the spectral density of the noise voltage during irradiation increase to doses of 5·1013 and 3·1013 cm–2, respectively. With a further increase in the electron flow, both parameters decrease. Irradiation also leads to a significant increase in the boundary frequency of the noise signal and a drop in the spectral density of the noise voltage in this frequency band. The results are explained by the modification of microplasmas by radiation defects.