GaN – транзисторы
xmlui.dri2xhtml.METS-1.0.item-advisor
Date
2023Publisher
Another Title
GaN – transistors
Bibliographic entry
Шенец, А. С. GaN – транзисторы = GaN – transistors / А. С. Шенец, П. Д. Кагочкин ; науч. рук. О. А. Пекарчик // Электроэнергетика и электротехника [Электронный ресурс] : материалы 79-й научно-технической конференции студентов и аспирантов «Актуальные проблемы энергетики» (Апрель 2023 г.) / редкол.: Е. Г. Пономаренко, И. В. Новаш, Е. А. Дерюгина ; сост. Т. Е. Жуковская. – Минск : БНТУ, 2023. – С. 7-10.
Abstract
В данной статье рассмотрен принцип действия транзистора на основе нитрида галлия. Описаны преимущества использования данного транзистора, его свойства и сферы применения.
Abstract in another language
This article discusses the principle of operation of a transistor based on gallium nitride. The advantages of using this transistor, its properties and appli-cations are described.