Усилители мощности на транзисторах и интегральных микросхемах
Another Title
Power amplifiers on transistors and integrated circuits
Bibliographic entry
Радиминович, П. С. Усилители мощности на транзисторах и интегральных микросхемах = Power amplifiers on transistors and integrated circuits / П. С. Радиминович, В. А. Блоцкий, А. В. Гончарова ; науч. рук. Г. А. Михальцевич // Актуальные проблемы энергетики - 2023 [Электронный ресурс] : материалы студенческой научно-технической конференции / сост.: И. Н. Прокопеня, Т. А. Петровская ; редкол.: Е. Г. Пономаренко (пред.) [и др.]. – Минск : БНТУ, 2023. – С. 425-430.
Abstract
В данной статье рассматриваются усилители мощности на транзисторах и интегральных микросхемах. Описываются принципы работы таких устройств, их основные характеристики и применение в различных областях электроники. Рассматриваются типы усилителей мощности, такие как класс A, B, AB, D, G, H, а также их особенности и достоинства. Описывается процесс выбора усилителя мощности в зависимости от требуемой мощности и нагрузки. В статье также рассматриваются основные параметры усилителей мощности, такие как коэффициент усиления, выходная мощность, КПД и др. В заключение описываются современные технологии производства интегральных микросхем для усилителей мощности и их перспективы в будущем.
Abstract in another language
This article discusses power amplifiers based on transistors and integrated circuits. The principles of operation of such devices, their main characteristics and applications in various fields of electronics are described. The types of power amplifiers, such as class A, B, AB, D, G, H, as well as their features and advantages are considered. The process of selecting a power amplifier depending on the required power and load is described. The article also discusses the main parameters of power amplifiers, such as gain, output power, efficiency, etc. In conclusion, modern technologies for the production of integrated circuits for power amplifiers and their prospects in the future are described.