| dc.contributor.author | Гацкевич, Е. И. | ru |
| dc.contributor.author | Ивлев, Г. Д. | ru |
| dc.contributor.author | Малевич, В. Л. | ru |
| dc.coverage.spatial | Минск | ru |
| dc.date.accessioned | 2015-03-23T07:16:10Z | |
| dc.date.available | 2015-03-23T07:16:10Z | |
| dc.date.issued | 2014 | |
| dc.identifier.citation | Гацкевич, Е. И. Моделирование процессов плавления и отвердевания, инициируемых в эпитаксиальных слоях GeSi воздействием наноимпульсного лазерного излучения / Е. И. Гацкевич, Г. Д. Ивлев, В. Л. Малевич // Приборостроение-2014 : материалы 7-й Международной научно-технической конференции (19–21 ноября 2014 года, Минск, Республика Беларусь) / ред. колл.: О. К. Гусев [и др.]. – Минск : БНТУ, 2014. – С. 271-273. | ru |
| dc.identifier.uri | https://rep.bntu.by/handle/data/15125 | |
| dc.description.abstract | В данной работе приведены результаты численного моделирования процессов нагрева, плавления и кристаллизации при облучении наносекундными лазерными импульсами структур Si1-xGex, выращенных на Si подложке, и обсуждается механизм формирования в них ячеистой структуры, связанный с эффектом концентрационного переохлаждения. | ru |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.publisher | БНТУ | ru |
| dc.title | Моделирование процессов плавления и отвердевания, инициируемых в эпитаксиальных слоях GeSi воздействием наноимпульсного лазерного излучения | ru |
| dc.type | Working Paper | ru |
