| dc.contributor.author | Сычик, В. А. | ru |
| dc.contributor.author | Глухманчук, В. В. | ru |
| dc.contributor.author | Уласюк, М. М. | ru |
| dc.coverage.spatial | Минск | ru |
| dc.date.accessioned | 2025-02-05T12:16:43Z | |
| dc.date.available | 2025-02-05T12:16:43Z | |
| dc.date.issued | 2024 | |
| dc.identifier.citation | Сычик, В. А. Устройство контроля ионизирующих излучений = Ionizing radiation control device / В. А. Сычик, В. В. Глухманчук, М. М. Уласюк // Приборостроение-2024 : материалы 17-й Международной научно-технической конференции, 26-29 ноября 2024 года, Минск, Республика Беларусь / редкол.: А. И. Свистун (пред.), О. К. Гусев, Р. И. Воробей [и др.]. – Минск : Интегралполиграф, 2024. – С. 267-269. | ru |
| dc.identifier.uri | https://rep.bntu.by/handle/data/153102 | |
| dc.description.abstract | Синтезировано устройство контроля ионизирующих излучений на базе полупроводниковой структуры, содержащей полупроводниковое основание, соединенные каналом области стока и истока, на которой размещен слой широкозонного высокоомного полупроводника обратной проводимости. Затвор триединой структуры выполнен p-n гетеропереходом. Устройство обладает высокой чувствительностью к ионизирующим излучениям и низким значением питающего напряжения. | ru |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.publisher | Интегралполиграф | ru |
| dc.title | Устройство контроля ионизирующих излучений | ru |
| dc.title.alternative | Ionizing radiation control device | ru |
| dc.type | Article | ru |
| local.description.annotation | A device for monitoring ionizing radiation has been synthesized based on a semiconductor structure containing a semiconductor base, drain and source regions connected by a channel, on which a layer of wide-band high-resistance semiconductor with reverse conductivity is placed. The gate of the triune structure is made by a p-n heterojunction. The device has high sensitivity to ionizing radiation and a low value of supply voltage. | ru |
