| dc.contributor.author | Юхневич, А. В. | ru |
| dc.contributor.author | Майер, И. А. | ru |
| dc.contributor.author | Усенко, А. Е. | ru |
| dc.coverage.spatial | Минск | ru |
| dc.date.accessioned | 2016-02-08T07:39:55Z | |
| dc.date.available | 2016-02-08T07:39:55Z | |
| dc.date.issued | 2016 | |
| dc.identifier.citation | Юхневич, А. В. К технологии формирования МЭМС/НЭМС-конструкций / А. В. Юхневич, И. А. Майер, А. Е. Усенко // Теоретическая и прикладная механика : международный научно-технический сборник. – Вып. 31. – 2016. – С. 50-55. | ru |
| dc.identifier.uri | https://rep.bntu.by/handle/data/20957 | |
| dc.description.abstract | Рассматривается возможность предельного уменьшения размеров МЭМС, НЭМС и других миниатюрных приборов в технологии их изготовления методами маскированного растворения кристалла. Для этого необходимо использование растворителей, позволяющих осуществить «идеальную» полировку поверхностей. Создание таких пока неизвестных растворителей предлагается начинать с определения элементарных стадий процесса растворения, реализация которых принципиально необходима для удаления (стравливания) любых дефектов атомно-гладкой поверхности заданной кристаллографической ориентации. Предлагается способ выявления таких стадий при моделировании процесса на атомном уровне. Приводится пример разработки теоретической (компьютерной) модели растворителя, позволяющей осуществить идеальную полировку поверхности (001) кристаллов типа алмаза. Такая модель содержит информацию об особенностях соответствующего натурного процесса, которые необходимо реализовать при отработке перспективной технологии изготовления, например, миниатюрных кремниевых приборов и систем. | ru |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.publisher | БНТУ | ru |
| dc.title | К технологии формирования МЭМС/НЭМС-конструкций | ru |
| dc.type | Article | ru |
| local.description.annotation | The possibility of reducing the size of MEMS, NEMS and other miniature devices in the technology of their production by methods of masked crystal dissolution has been considered. This requires the use of special solvents that provide an ideal surface polishing. The creation of such yet unknown solvents is invited to start by identifying the elementary stages of the dissolution process, the implementation of which is fundamentally necessary for the removal (etching) any defects atomically smooth surface of a given crystallographic orientation. A method of identifying such stages by modeling the process at an atomic level is offered. An example of the solvent model, which allows the perfect polishing of the surface (001) of diamond-like crystals has been given. This model contains information about the features of the relevant natural process that need to be implemented when developing the promising technology, such as manufacturing of miniature silicon devices and systems. | |
