Оптическое гашение фотоэдс в поверхностно-барьерных диодах на основе кремния p-типа
| dc.contributor.author | Гусев, О. К. | ru |
| dc.contributor.author | Шадурская, Л. И. | ru |
| dc.contributor.author | Яржембицкая, Н. В. | ru |
| dc.coverage.spatial | Минск | ru |
| dc.date.accessioned | 2016-03-04T07:49:05Z | |
| dc.date.available | 2016-03-04T07:49:05Z | |
| dc.date.issued | 2015 | |
| dc.identifier.citation | Гусев, О. К. Оптическое гашение фотоэдс в поверхностно-барьерных диодах на основе кремния p-типа / О. К. Гусев, Л. И. Шадурская, Н. В. Яржембицкая // Наука – образованию, производству, экономике : материалы 13-й Международной научно-технической конференции. - Минск : БНТУ, 2015. - Т. 2. - С. 168. | ru |
| dc.identifier.uri | https://rep.bntu.by/handle/data/21706 | |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.publisher | БНТУ | ru |
| dc.title | Оптическое гашение фотоэдс в поверхностно-барьерных диодах на основе кремния p-типа | ru |
| dc.type | Working Paper | ru |
