Особенности длинных диодов из полупроводников с глубокими многозарядными примесями
| dc.contributor.author | Буйневич, М. В. | ru |
| dc.contributor.author | Шадурская, Л. И. | ru |
| dc.coverage.spatial | Минск | ru |
| dc.date.accessioned | 2016-09-12T07:29:11Z | |
| dc.date.available | 2016-09-12T07:29:11Z | |
| dc.date.issued | 2016 | |
| dc.identifier.citation | Буйневич, М. В. Особенности длинных диодов из полупроводников с глубокими многозарядными примесями / М. В. Буйневич, Л. И. Шадурская // Новые направления развития приборостроения : материалы 9-й международной научно-технической конференции молодых ученых и студентов, Минск, 20–22 апреля 2016 г. : в 2 т. / Белорусский национальный технический университет ; редкол.: О. К. Гусев [и др.]. – Минск, 2016. – Т. 1. - С. 45. | ru |
| dc.identifier.uri | https://rep.bntu.by/handle/data/24859 | |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.publisher | БНТУ | ru |
| dc.title | Особенности длинных диодов из полупроводников с глубокими многозарядными примесями | ru |
| dc.type | Working Paper | ru |
