| dc.coverage.spatial | Минск | ru |
| dc.date.accessioned | 2012-06-26T06:55:20Z | |
| dc.date.available | 2012-06-26T06:55:20Z | |
| dc.date.issued | 2010 | |
| dc.identifier.citation | Разработать физические принципы многофункциональных фотодетекторов на основе двухбарьерных полупроводниковых структур с глубокими центрами : отчет о НИР (заключительный) : 08М-086 / Белорусский национальный технический университет; рук. Тявловский А. К., исполн. Свистун А. И. [и др.]. – Минск, 2010. – 89с. – Библиогр.: С. 83-89 - № ГР 20081728 | ru |
| dc.identifier.govdoc | 20081728 | |
| dc.identifier.uri | https://rep.bntu.by/handle/data/3209 | |
| dc.description.abstract | Объектом исследования являются двухбарьерные полупроводниковые структуры с глубокими центрами, используемые в качестве основы для построения многофункциональных фотоприемников. Целью работы является разработка физических принципов построения многофункциональных одноэлементных фотодетекторов на основе двухбарьерных полупроводниковых структур с глубокими центрами и разработка теоретических основ выполнения многопараметрических измерений с помощью данных фотодетекторов. | ru |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.publisher | БНТУ | ru |
| dc.subject | Фотодетектор | ru |
| dc.subject | Двухбарьерные полупроводниковые структуры | ru |
| dc.subject | Глубокие центры | ru |
| dc.subject | Оптическое излучение | ru |
| dc.title | Разработать физические принципы многофункциональных фотодетекторов на основе двухбарьерных полупроводниковых структур с глубокими центрами | ru |
| dc.title.alternative | Отчет о НИР (заключительный) :08М-086 | ru |
| dc.type | Technical Report | ru |
| dc.identifier.udc | 621.383.4 | ru |
| dc.contributor.supervisor | Тявловский, А. К. | ru |
