Исследование параметров фоторезистора на основе полупроводников с многозарядными примесями с помощью схемы деления напряжения
| dc.contributor.author | Красовская, А. А. | ru |
| dc.contributor.author | Шадурская, Л. И. | ru |
| dc.coverage.spatial | Минск | ru |
| dc.date.accessioned | 2018-01-03T10:15:46Z | |
| dc.date.available | 2018-01-03T10:15:46Z | |
| dc.date.issued | 2010 | |
| dc.identifier.citation | Красовская, А. А. Исследование параметров фоторезистора на основе полупроводников с многозарядными примесями с помощью схемы деления напряжения / А. А. Красовская, Л. И. Шадурская // Новые направления развития приборостроения : материалы 3-й Международной студенческой научно-технической конференции, 21-23 апреля 2010 г. / Белорусский национальный технический университет ; редкол.: О. К. Гусев [и др.]. - Минск : БНТУ, 2010. - С. 35. | ru |
| dc.identifier.uri | https://rep.bntu.by/handle/data/36098 | |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.publisher | БНТУ | ru |
| dc.title | Исследование параметров фоторезистора на основе полупроводников с многозарядными примесями с помощью схемы деления напряжения | ru |
| dc.type | Working Paper | ru |
