| dc.contributor.author | Гацкевич, Е. И. | ru |
| dc.contributor.author | Ивлев, Г. Д. | ru |
| dc.contributor.author | Малевич, В. Л. | ru |
| dc.coverage.spatial | Санкт-Петербург | ru |
| dc.date.accessioned | 2018-06-20T13:10:22Z | |
| dc.date.available | 2018-06-20T13:10:22Z | |
| dc.date.issued | 2015 | |
| dc.identifier.citation | Гацкевич Е. И. Образование ячеистой структуры в слоях SiGe при наносекундном лазерном облучении / Е. И. Гацкевич, Г. Д. Ивлев, В. Л. Малевич // Письма в журнал технической физики. - 2015. - Т. 41, № 1. - С. 43-49. | ru |
| dc.identifier.uri | https://rep.bntu.by/handle/data/42288 | |
| dc.description.abstract | Проведено численное моделирование процессов нагрева, плавления и кристаллизации твердого раствора SiGe на кремниевой подложке, происходящих под действием наносекундного лазерного излучения, и проанализирован механизм формирования ячеистых структур из-за сегрегационного разделения элементов на стадии отвердевания бинарного расплава. Результаты вычислений сопоставлены с известными экспериментальными данными, характеризующими продолжительность лазерно-индуцированных фазовых превращений и средний размер ячеек (образующихся вследствие эффекта концентрационного переохлаждения) в зависимости от плотности энергии в лазерном импульсе. | ru |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.publisher | Физико-технический институт имени А. Ф. Иоффе РАН | ru |
| dc.title | Образование ячеистой структуры в слоях SiGe при наносекундном лазерном облучении | ru |
| dc.type | Article | ru |
